 |
|||||||||
 |
2022, том 20, випуск 1 |
|
|||||||
|
|||||||||
Випуски/2022/том 20 /випуск 1 |
Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)
Ю. І. Андрусишин
«Теоретична метода визначення графенових фізичних параметрів»
0001–0013 (2022)
PACS numbers: 71.15.-m, 71.30.+h, 72.10.Bg, 72.80.Vp, 73.22.Pr, 73.63.-b, 81.05.ue
Детальною аналізою методи розрахунку графенових параметрів встановлено взаємозв’язок між концентрацією носіїв струму та напругою закриву. Розглянуто різні механізми розсіяння носіїв у графеновій ґратниці та рухливість, яку вони спричиняють. Практична сторона одержаних результатів показує, як контролювати можливу графенову електропровідність, змінюючи значення хемічного потенціялу.
Keywords: рухливість, електропровідність, Моттів механізм, термоелектрична потужність, термоелектрична оцінка.
References
1. Scientific Background on the Nobel Prize in Physics 2010: Gra-phene (Stockholm: The Royal Swedish Academy of Sciences: 2010).2. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science, 306, No. 5696: 666 (2004); https://doi.org/10.1126/science.1102896
3. G. W. Hanson, J. of Appl. Phys., 113: 029902 (2013); https://doi.org/10.1063/1.2891452
4. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer, Solid State Communications, 146: 351 (2008); https://doi.org/10.1016/j.ssc.2008.02.024
5. V. Ryzhii, J. Appl. Phys., 101: 024509 (2007); https://doi.org/10.1063/1.2426904
6. Yu. A. Kruglyak and M. V. Strikha, Sensor Electronics and Mi-crosystem Technologies, 13, No. 3: 5 (2016) (in Ukrainian); http://liber.onu.edu.ua/pdf/SENS_ELECT.pdf
7. O. A. Golovanov, G. S. Makeeva, and V. V. Varenitsa, Reliabil-ity and Quality of Complex Systems, 4: 36 (2014) (in Russian); https://nikas.pnzgu.ru/files/nikas.pnzgu.ru/26.pdf
8. L. A. Falkovsky, Phys. Rev. B, 75: 033409 (2007); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.75.033409
9. V. F. Gantmakher, Electrons in Disordered Media (Moscow: Fiz-matlit: 2013) (in Russian).
10. B. I. Shklovsky and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Moscow: Nauka: 1979) (in Russian).
11. O. V. Gerashchenko, Fazovyye Perekhody, Mezhfaznyye Granitsy i Nanomaterialy, 4: 116 (2017) (in Russian); http://pti-nt.ru/ru/issue/publication/424-pryjkovaya-provodimost-s-zakonom-12-v-mnogosloiynyh-nanokompozitah-co40fe40b2034sio266c47-vblizi-perehoda-metall-dielektrik
12. O. O. Kotik, V International Scientific-Practical Conference ‘Conceptual Ways of Science Development’ (May 14–15, 2020) (in Ukrainian).
13. W. Gao, J. Shu, C. Qiu, and Q. Xu, ACS Nano, 6, No. 9: 7806 (2012); https://doi.org/10.1021/nn301888e
14. Andrea F. Young and Philip Kim, Nature Physics, 5: 222 (2009); https://doi.org/10.1038/nphys1198
15. S. P. Repetsky, I. G. Vyshyvana, S. P. Kruchinin, O. Ya. Kuznetsova, and R. M. Melnyk, Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 41, Iss. 4: 427 (2019) (in Ukrainian); https://doi.org/10.15407/mfint.41.04.0427.
 Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна ©2003—2022 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины. Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача |