Выпуски

 / 

2018

 / 

том 16 / 

выпуск 4

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

I. B. Olenych, S. A. Sveleba, I. M. Kunyo, Yu. I. Olenych, and A. P. Luchechko
«Photoluminescence and Electret Properties of Porous Silicon/\([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\) Hybrid Structures»
0701–0711 (2018)

PACS numbers: 68.37.Hk, 77.22.Ej, 77.55.fp, 78.55.Hx, 78.55.Mb, 78.67.Rb, 81.07.-b

Методою повільного випаровування на поверхні поруватого кремнію вирощено оптично прозорі у видимому діяпазоні спектру кристалічні масиви \([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\). Вивчено спектри збудження та променювання фотолюмінесценції одержаних гібридних структур у діяпазонах 220–400 і 400–800 нм відповідно. Встановлено, що багатоколірна фотоемісія утворюється поєднанням смуг люмінесцентного променювання наноструктур поруватого кремнію та вирощених кристалів \([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\). На основі температурних залежностей струмів термостимульованої деполяризації вивчено електретні властивості гібридних структур поруватий кремній/\([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\) і визначено енергії активації процесів релаксації поляризаційного заряду у таких структурах.

Keywords: porous silicon, hybrid structure, photoluminescence, electret, thermally stimulated depolarization


References
1. H. F ll, M. Christophersen, J. Carstensen, and G. Hasse, Mater. Sci. Eng. R, 39: 93 (2002). https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00090-6
2. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys., 82: 909 (1997). https://doi.org/10.1063/1.366536
3. O. Bisi, S. Ossicini, and L. Pavesi, Surf. Sci. Rep., 38: 1 (2000). https://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)00012-6
4. B. C. Chakravarty, J. Tripathi, A. K. Sharma, R. Kumar, K. N. Sood, S. B. Samanta, and S. N. Singh, Sol. Energ. Mat. Sol. C, 91: 659 (2007). https://doi.org/10.1016/j.solmat.2006.12.015
5. I. B. Olenych, Ukr. J. Phys. Opt., 12: 54 (2011). https://doi.org/10.3116/16091833/12/2/54/2011
6. J. Kim, S. S. Joo, K. W. Lee, J. H. Kim, D. H. Shin, S. Kim, and S. H. Choi, ACS Appl. Mater. Interfaces, 6: 20880 (2014). https://doi.org/10.1021/am5053812
7. H. G. Shiraz, F. R. Astaraei, S. Fardindoost, and Z. S. Hosseini, RSC Adv., 6: 44410 (2016). https://doi.org/10.1039/C6RA03541H
8. D. Yan, S. Li, S. Liu, M. Tan, D. Li, and Y. Zhu, J. Solid State Electr., 20: 459 (2016). https://doi.org/10.1007/s10008-015-3058-6
9. L. Martinez, O. Ocampo, Y. Kumar, and V. Agarwal, Nanoscale Res. Lett., 9: 437 (2014). https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-437
10. A. A. Ensafi, M. M. Abarghoui, and B. Rezaei, Sensor. Actuat. B Chem., 204: 528 (2014). https://doi.org/10.1016/j.snb.2014.08.009
11. E. F. Venger, S. I. Kirillova, I. M. Kizyak, . G. Manoilov, and V. E. Primachenko, Semiconductors, 38: 113 (2004). https://doi.org/10.1134/1.1641142
12. I. B. Olenych, L. S. Monastyrskii, S. A. Sveleba, A. P. Luchechko, and L. I. Yarytska, J. Nano- Electron. Phys., 10: 01015 (2018).
13. X. Liu, Y. Liu, W. Chen, J. Li, and L. Liao, Nanoscale Res. Lett., 7: 285 (2012). https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-285
14. A. L. Pirozerski and E. V. Charnaya, Fizika Tverdogo Tela, 52: 572 (2010).
15. S. A. Sveleba, I. V. Karpa, I. N. Katerynchuk, Yu. M. Furgala, O. V. Semotyuk, I. M. Kunyo, E. I. Fitsych, and Yu. I. Pankivskyi, Crystallogr. Rep., 58: 122 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063774513010124
16. I. Karbovnyk, Ferroelectrics, 317: 15 (2005). https://doi.org/10.1080/00150190590963354
17. Yu. A. Gorokhovatskiy and G. A. Bordovsky, Thermoactivated Current Spectroscopy of High-Resistance Semiconductors and Dielectrics (Moscow: Nauka: 1991) (in Russian).
18. A. R. Mahjoub, M. Movahedi, E. Kowsari, and I. Yavari, Mat. Sci. Semicon. Proc., 22: 1 (2014). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2014.01.024
19. A. Artesani, F. Gherardi, A. Nevin, G. Valentini, and D. Comelli, Materials, 10: 340 (2017). https://doi.org/10.3390/ma10040340
20. A. A. Bol, J. Ferwerda, J. A. Bergwerff, and A. Meijerink, J. Lumin., 99: 325 (2002). https://doi.org/10.1016/S0022-2313(02)00350-2
21. I. Olenych, B. Tsizh, L. Monastyrskii, O. Aksimentyeva, and B. Sokolovskii, Solid State Phenom., 230: 127 (2015). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.127
22. H. Z. Cummins, Phys. Rep., 185: 211 (1990). https://doi.org/10.1016/0370-1573(90)90058-A
23. D. G. Sannikov and V. A. Golovko, Izv. AN USSR Ser. Fis., 53: 1251 (1989) (in Russian).
24. I. V. Karpa, S. A. Sveleba, I. N. Katerynchuk, I. M. Kunyo, E. I. Fitsych, Electronics and Information Technologies, 5: 50 (2015) (in Ukrainian).
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2020 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача