Выпуски

/

2018

/

том 16 /

выпуск 4

Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

I. B. Olenych, S. A. Sveleba, I. M. Kunyo, Yu. I. Olenych, and A. P. Luchechko
«Photoluminescence and Electret Properties of Porous Silicon/\([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\) Hybrid Structures»
0701–0711 (2018)

PACS numbers: 68.37.Hk, 77.22.Ej, 77.55.fp, 78.55.Hx, 78.55.Mb, 78.67.Rb, 81.07.-b

Методом медленного испарения на поверхности пористого кремния выращены оптически прозрачные в видимом диапазоне спектра кристаллические массивы \([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\). Изучены спектры возбуждения и излучения фотолюминесценции полученных гибридных структур в диапазонах 220–400 и 400–800 нм соответственно. Установлено, что многоцветная фотоэмиссия образуется сочетанием полос люминесцентного излучения наноструктур пористого кремния и выращенных кристаллов \([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\). На основе температурных зависимостей тока термостимулированной деполяризации изучены электретные свойства гибридных структур пористый кремний/\([N(CH_3)_4]MeCl_4(Me=Zn, Cu)\) и определены энергии активации процессов релаксации поляризационного заряда в таких структурах.

Keywords: porous silicon, hybrid structure, photoluminescence, electret, thermally stimulated depolarization

References

1. H. F ll, M. Christophersen, J. Carstensen, and G. Hasse, Mater. Sci. Eng. R, 39: 93 (2002). https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00090-6
2. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys., 82: 909 (1997). https://doi.org/10.1063/1.366536
3. O. Bisi, S. Ossicini, and L. Pavesi, Surf. Sci. Rep., 38: 1 (2000). https://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)00012-6
4. B. C. Chakravarty, J. Tripathi, A. K. Sharma, R. Kumar, K. N. Sood, S. B. Samanta, and S. N. Singh, Sol. Energ. Mat. Sol. C, 91: 659 (2007). https://doi.org/10.1016/j.solmat.2006.12.015
5. I. B. Olenych, Ukr. J. Phys. Opt., 12: 54 (2011). https://doi.org/10.3116/16091833/12/2/54/2011
6. J. Kim, S. S. Joo, K. W. Lee, J. H. Kim, D. H. Shin, S. Kim, and S. H. Choi, ACS Appl. Mater. Interfaces, 6: 20880 (2014). https://doi.org/10.1021/am5053812
7. H. G. Shiraz, F. R. Astaraei, S. Fardindoost, and Z. S. Hosseini, RSC Adv., 6: 44410 (2016). https://doi.org/10.1039/C6RA03541H
8. D. Yan, S. Li, S. Liu, M. Tan, D. Li, and Y. Zhu, J. Solid State Electr., 20: 459 (2016). https://doi.org/10.1007/s10008-015-3058-6
9. L. Martinez, O. Ocampo, Y. Kumar, and V. Agarwal, Nanoscale Res. Lett., 9: 437 (2014). https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-437
10. A. A. Ensafi, M. M. Abarghoui, and B. Rezaei, Sensor. Actuat. B Chem., 204: 528 (2014). https://doi.org/10.1016/j.snb.2014.08.009
11. E. F. Venger, S. I. Kirillova, I. M. Kizyak, . G. Manoilov, and V. E. Primachenko, Semiconductors, 38: 113 (2004). https://doi.org/10.1134/1.1641142
12. I. B. Olenych, L. S. Monastyrskii, S. A. Sveleba, A. P. Luchechko, and L. I. Yarytska, J. Nano- Electron. Phys., 10: 01015 (2018).
13. X. Liu, Y. Liu, W. Chen, J. Li, and L. Liao, Nanoscale Res. Lett., 7: 285 (2012). https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-285
14. A. L. Pirozerski and E. V. Charnaya, Fizika Tverdogo Tela, 52: 572 (2010).
15. S. A. Sveleba, I. V. Karpa, I. N. Katerynchuk, Yu. M. Furgala, O. V. Semotyuk, I. M. Kunyo, E. I. Fitsych, and Yu. I. Pankivskyi, Crystallogr. Rep., 58: 122 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063774513010124
16. I. Karbovnyk, Ferroelectrics, 317: 15 (2005). https://doi.org/10.1080/00150190590963354
17. Yu. A. Gorokhovatskiy and G. A. Bordovsky, Thermoactivated Current Spectroscopy of High-Resistance Semiconductors and Dielectrics (Moscow: Nauka: 1991) (in Russian).
18. A. R. Mahjoub, M. Movahedi, E. Kowsari, and I. Yavari, Mat. Sci. Semicon. Proc., 22: 1 (2014). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2014.01.024
19. A. Artesani, F. Gherardi, A. Nevin, G. Valentini, and D. Comelli, Materials, 10: 340 (2017). https://doi.org/10.3390/ma10040340
20. A. A. Bol, J. Ferwerda, J. A. Bergwerff, and A. Meijerink, J. Lumin., 99: 325 (2002). https://doi.org/10.1016/S0022-2313(02)00350-2
21. I. Olenych, B. Tsizh, L. Monastyrskii, O. Aksimentyeva, and B. Sokolovskii, Solid State Phenom., 230: 127 (2015). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.127
22. H. Z. Cummins, Phys. Rep., 185: 211 (1990). https://doi.org/10.1016/0370-1573(90)90058-A
23. D. G. Sannikov and V. A. Golovko, Izv. AN USSR Ser. Fis., 53: 1251 (1989) (in Russian).
24. I. V. Karpa, S. A. Sveleba, I. N. Katerynchuk, I. M. Kunyo, E. I. Fitsych, Electronics and Information Technologies, 5: 50 (2015) (in Ukrainian).

Все статьи доступны по Лицензии Creative Commons “Attribution-NoDerivatives” («атрибуция — без производных статей») 4.0 Всемирная
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение