Выпуски

 / 

2018

 / 

том 16 / 

выпуск 4

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

S. O. Vambol, I. T. Bogdanov, V. V. Vambol, Ya. O. Suchikova, and S. S. Kovachov
«Correlation between Technological Factors of Synthesis of por-GaP and Its Acquired Properties»
0657–0670 (2018)

PACS numbers: 61.43.Gt, 61.72.Qq, 68.55.J-, 81.05.Rm, 81.65.Cf, 84.60.-h

Встановлено технологічні чинники для формування поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду ґалію методою електрохемічного щавлення. Встановлено кореляцію цих чинників і морфологічних властивостей por-GaP. Визначено критерій якости морфологічного складу поруватих шарів, сформованих на поверхні фосфіду ґалію. На підґрунті проведених досліджень запропоновано показники поруватої поверхні, відповідність яким уможливить віднести одержані зразки до стандартних.

Keywords: por-GaP, electrochemical etching, morphology, porous semiconductors, etching conditions


References
1. E. Monaico, I. Tiginyanu, O.Volciuc, T. Mehrtens, A. Rosenauer, J. Gutowski, and K. Nielsch, Electrochem. Technol., 47: 29 (2014). https://doi.org/10.1016/j.elecom.2014.07.015
2. S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, O. Kondratenko, O. Hurenko, and S. Onishchenko, Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3, No. 5 (87): 37 (2017). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.104039
3. Y. Lee, H.Jung, J. Kim, and Y. Kang, Appl. Catal. B-Environ., 224: 594 (2018). https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2017.10.068
4. H. Mammar, A. Benmansour, and F. Kerroumi, Journal of Surface Science and Technology, 34, Iss. 1-2: 16433 (2018). https://doi.org/10.18311/jsst/2018/16433
5. Y. Suchikova, Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6, No. 5 (84): 26 (2016). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2016.85848
6. S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, H. Lopatina, and N. Tsybuliak, Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6, No. 5 (90): 22 (2017). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.118725
7. L. Li, Advances in Laser Materials Processing, March: 20 (2010). https://doi.org/10.1533/9781845699819.1.20
8. P. Dwivedi, N. Chauhan, P. Vivekanandan, S. Das, D. S. Kumar, and S. Dhanekar, Sensor Actuat. B-Chem., 249: 602 (2017). https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.03.154
9. Y. Suchikova, V. V. Kidalov, and G. A. Sukach, Semiconductors, 45, No. 1: 121 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063782611010192
10. P. Dwivedi, S. Dhanekar, S. Das, and S. Chandra, J. Mater. Sci. Technol., 33, No. 6: 516 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jmst.2016.10.010
11. Y. Suchikova, Journal of Nano- and Electronic Physics, 7, No. 3: 03017-1 (2015).
12. X. Geng, Y. Zhang, Y. Han, J. Li, L. Yang, M. Benamara, and H. Zhu, Nano Lett., 17, No. 3: 1825 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b05134
13. S. Beckemper, J. Huang, A. Gillner, and K. Wang, Laser Micro/Nanoeng., 6, No. 1: 49 (2011). https://doi.org/10.2961/jlmn.2011.01.0011
14. Nanotechnology Products Database (NPD), http://product.statnano.com/.
15. S. Biswas, S. Barth, and J. Holmes, Nano Res., 10, No. 5: 1510 (2017). https://doi.org/10.1007/s12274-017-1430-9
16. M. H. Dastjerdi, E. M. Fiordaliso, E. D. Leshchenko, A. Akhtari-Zavareh, T. Kasama, M. Aagesen, and R. R. LaPierre, Nano Lett., 17, No. 10: 5875 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b00794
17. Z. Zhong, Z. Li, Q. Gao, K. Peng, L. Li, and Z. Wang, Nano Energy, 28: 106 (2016). https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2016.08.032
18. Y. O. Suchikova, Journal of Nano- and Electronic Physics, 9, No. 1: 1006-1 (2017). https://doi.org/10.21272/jnep.9(1).01006
19. D. Xu, D. Chen, Y. Xu, X. Shi, G. Guo, L. Gui, and Y. Tang, Pure Appl. Chem., 72, No. 1: 127 (2000). https://doi.org/10.1351/pac200072010127
20. D. Yan, M. Hu, S. Li, J. Liang, Y. Wu, and S. Ma, Electrochim. Acta, 115: 297 (2014). https://doi.org/10.1016/j.electacta.2013.10.007
21. H. F ll, J. Carstensen, and S. Frey, J. Nanomater., 2006: 1 (2006). https://doi.org/10.1155/JNM/2006/91635
22. V. P. Ulin and S. G. Konnikov, Fiz. Tekhn. Poluprovodn., 41, No. 7: 854 (2007).
23. V. Rajendran, Adv. Mat. Res., 67: 71 (2009). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.67.71
24. S. Vambol, V. Vambol, I. Bogdanov et al. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6, No. 10 (90): 57 (2017). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.118213
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2020 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача