 |
|||||||||
 |
2018, том 16, выпуск 4 |
|
|||||||
|
|||||||||
Выпуски/2018/том 16 /выпуск 4 |
Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
S. O. Vambol, I. T. Bogdanov, V. V. Vambol, Ya. O. Suchikova, and S. S. Kovachov
«Correlation between Technological Factors of Synthesis of por-GaP and Its Acquired Properties»
0657–0670 (2018)
PACS numbers: 61.43.Gt, 61.72.Qq, 68.55.J-, 81.05.Rm, 81.65.Cf, 84.60.-h
Установлены технологические факторы для формирования пористого слоя на поверхности монокристаллического фосфида галлия методом электрохимического травления. Установлена корреляция этих факторов и морфологических свойств por-GaP. Определён критерий качества морфологического состава пористых слоёв, сформированных на поверхности фосфида галлия. На основании проведённых исследований предложены показатели пористой поверхности, соответствие которым позволит отнести полученные образцы к стандартным.
Keywords: por-GaP, electrochemical etching, morphology, porous semiconductors, etching conditions
References
1. E. Monaico, I. Tiginyanu, O.Volciuc, T. Mehrtens, A. Rosenauer, J. Gutowski, and K. Nielsch, Electrochem. Technol., 47: 29 (2014). https://doi.org/10.1016/j.elecom.2014.07.0152. S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, O. Kondratenko, O. Hurenko, and S. Onishchenko, Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3, No. 5 (87): 37 (2017). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.104039
3. Y. Lee, H.Jung, J. Kim, and Y. Kang, Appl. Catal. B-Environ., 224: 594 (2018). https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2017.10.068
4. H. Mammar, A. Benmansour, and F. Kerroumi, Journal of Surface Science and Technology, 34, Iss. 1-2: 16433 (2018). https://doi.org/10.18311/jsst/2018/16433
5. Y. Suchikova, Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6, No. 5 (84): 26 (2016). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2016.85848
6. S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, H. Lopatina, and N. Tsybuliak, Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6, No. 5 (90): 22 (2017). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.118725
7. L. Li, Advances in Laser Materials Processing, March: 20 (2010). https://doi.org/10.1533/9781845699819.1.20
8. P. Dwivedi, N. Chauhan, P. Vivekanandan, S. Das, D. S. Kumar, and S. Dhanekar, Sensor Actuat. B-Chem., 249: 602 (2017). https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.03.154
9. Y. Suchikova, V. V. Kidalov, and G. A. Sukach, Semiconductors, 45, No. 1: 121 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063782611010192
10. P. Dwivedi, S. Dhanekar, S. Das, and S. Chandra, J. Mater. Sci. Technol., 33, No. 6: 516 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jmst.2016.10.010
11. Y. Suchikova, Journal of Nano- and Electronic Physics, 7, No. 3: 03017-1 (2015).
12. X. Geng, Y. Zhang, Y. Han, J. Li, L. Yang, M. Benamara, and H. Zhu, Nano Lett., 17, No. 3: 1825 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b05134
13. S. Beckemper, J. Huang, A. Gillner, and K. Wang, Laser Micro/Nanoeng., 6, No. 1: 49 (2011). https://doi.org/10.2961/jlmn.2011.01.0011
14. Nanotechnology Products Database (NPD), http://product.statnano.com/.
15. S. Biswas, S. Barth, and J. Holmes, Nano Res., 10, No. 5: 1510 (2017). https://doi.org/10.1007/s12274-017-1430-9
16. M. H. Dastjerdi, E. M. Fiordaliso, E. D. Leshchenko, A. Akhtari-Zavareh, T. Kasama, M. Aagesen, and R. R. LaPierre, Nano Lett., 17, No. 10: 5875 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b00794
17. Z. Zhong, Z. Li, Q. Gao, K. Peng, L. Li, and Z. Wang, Nano Energy, 28: 106 (2016). https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2016.08.032
18. Y. O. Suchikova, Journal of Nano- and Electronic Physics, 9, No. 1: 1006-1 (2017). https://doi.org/10.21272/jnep.9(1).01006
19. D. Xu, D. Chen, Y. Xu, X. Shi, G. Guo, L. Gui, and Y. Tang, Pure Appl. Chem., 72, No. 1: 127 (2000). https://doi.org/10.1351/pac200072010127
20. D. Yan, M. Hu, S. Li, J. Liang, Y. Wu, and S. Ma, Electrochim. Acta, 115: 297 (2014). https://doi.org/10.1016/j.electacta.2013.10.007
21. H. F ll, J. Carstensen, and S. Frey, J. Nanomater., 2006: 1 (2006). https://doi.org/10.1155/JNM/2006/91635
22. V. P. Ulin and S. G. Konnikov, Fiz. Tekhn. Poluprovodn., 41, No. 7: 854 (2007).
23. V. Rajendran, Adv. Mat. Res., 67: 71 (2009). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.67.71
24. S. Vambol, V. Vambol, I. Bogdanov et al. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6, No. 10 (90): 57 (2017). https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.118213
 Все статьи доступны по Лицензии Creative Commons “Attribution-NoDerivatives” («атрибуция — без производных статей») 4.0 Всемирная ©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины. Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение |