Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)
O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. I. Medvid, M. V. Protsak, K. L. Biliak, I. Yo. Kucharskyy, D. M. Maksymchuk, I. M. Kofliuk, and D. S. Leonov
Surface Morphology of (La0.06Ga0.94)2O3:Eu Thin Films.
593–603 (2023)
PACS numbers: 61.72.Mm,68.35.Ct,68.37.Ps,68.55.A-,68.55.J-,81.15.Cd,81.15.Gh
Методом високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення в атмосфері арґону на монокристалічних підкладинках NaCl та аморфних підкладинках ?-SiO2 одержано тонкі плівки (La0,06Ga0,94)2O3:Eu. Дослідження морфології поверхні тонких плівок методом атомно-силової мікроскопії показали, що з переходом від підкладинок NaCl до ?-SiO2 зростає середній діяметер кристалітів, які формують плівку від 23 нм до 48 нм. Термооброблення плівок на підкладинках з ?-SiO2 в атмосфері арґону приводить до зростання середніх діяметрів зерен до 68 нм і, відповідно, середньоквадратичної шерсткости від 0,5 нм до 6,1 нм. Проведено аналізу розподілів кристалітів за діяметром і за об’ємом та запропоновано, що у процесі ВЧ-напорошення відбувається зростання вторинних зерен, а у процесі високотемпературного термооброблення відбувається зростання вторинних і третинних зерен.
Ключові слова: оксид Ґалію, європійовий активатор, тонкі плівки, кристаліти, морфологія поверхні.
References
- K. H. Choi and H. C. Kang, Materials Letters, 123: 160 (2014); https://doi.org/10.1016/j.matlet.2014.03.038
- Lingyi Kong, Jin Ma, Caina Luan, Wei Mi, and Yu Lv, Thin Solid Films, 520, No. 13: 4270 (2012); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.02.027
- A. K. Saikumar, Sh. D. Nehate and K. B. Sundaram, ECS J. of Solid State Science and Technol., 8, No. 7: Q3064 (2019); https://doi.org/10.1149/2.0141907jss
- M. Higashiwaki, AAPPS Bulletin, 32: 3 (2022); https://doi.org/10.1007/s43673-021-00033-0
- O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc., 86, No. 6: 1010 (2020); https://doi.org/10.1007/s10812-020-00932-4
- C. V. Ramana, R. S. Vemuri, V. V. Kaichev, V. A. Kochubey, A. A. Saraev, and V. V. Atuchin, ACS Appl. Mater. Interfaces, 3: 4370 (2011); https://doi.org/10.1021/am201021m
- N. Pushpa, M. K. Kokila, and K. R. Nagabhushana, Materials Letters: X, 18: 100205 (2023); https://doi.org/10.1016/j.mlblux.2023.100205
- Kevil Shah, K. V. R. Murthy, and B. S. Chakrabarty, Results in Optics, 11: 100413 (2023); https://doi.org/10.1016/j.rio.2023.100413
- I. O. Bordun, O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and Zh. Ya. Tsapovska, Acta Physica Polonika A, 133, No. 4: 914 (2018); https://doi.org/10.12693/APhysPolA.133.914
- J. Lakde, Ch. M. Mehare, K. K. Pandey, N. S. Dhoble, and S. J. Dhoble, J. of Physics: Conference Series, 1913: 01229 (2021); https://doi.org/10.1088/1742-6596/1913/1/012029
- Sh. Matsumoto, T. Watanabe, and A. Ito, Sensors and Materials, 34, No. 2: 669 (2022); https://doi.org/10.18494/SAM3698
- B. N. Rao, P. T. Rao, Sk. E. Basha, D. S. L. Prasanna, K. Samatha, and R. K. Ramachandra, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 34: 955 (2023); https://doi.org/10.1007/s10854-023-10341-w
- K. Wasa, M. Kitabatake, and H. Adachi, Thin Film Materials Technology: Sputtering of Compound Materials (New York: William Andrew Inc. Publishing: 2004).
- O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. J. Kukharskyy, I. I. Medvid, O. Ya. Mylyo, M. V. Partyka, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 17, Iss. 1: 123 (2019) (in Ukrainian); https://doi.org/10.15407/nnn.17.01.123
- C. V. Thompson, Sol. State Phys., 55: 269 (2001); https://doi.org/10.1016/S0081-1947(01)80006-0
- C. V. Thompson, J. Appl. Phys., 58: 763 (1985); https://doi.org/10.1063/1.336194
- O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. I. Polovynko, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 19, Iss. 1: 159 (2021); https://doi.org/10.15407/nnn.19.01.159
- J. E. Palmer, C. V. Thompson, and Henry L. Smith, J. Appl. Phys., 62, No. 6: 2492 (1987); http://dx.doi.org/10.1063/1.339460
- O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. M. Kofliuk, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 20, Iss. 1: 91 (2022); https://doi.org/10.15407/nnn.20.01.091
|