Випуски

 / 

2023

 / 

том 21 / 

випуск 3

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. I. Medvid, M. V. Protsak, K. L. Biliak, I. Yo. Kucharskyy, D. M. Maksymchuk, I. M. Kofliuk, and D. S. Leonov
Surface Morphology of (La0.06Ga0.94)2O3:Eu Thin Films.
593–603 (2023)

PACS numbers: 61.72.Mm,68.35.Ct,68.37.Ps,68.55.A-,68.55.J-,81.15.Cd,81.15.Gh

Методом високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення в атмосфері арґону на монокристалічних підкладинках NaCl та аморфних підкладинках ?-SiO2 одержано тонкі плівки (La0,06Ga0,94)2O3:Eu. Дослідження морфології поверхні тонких плівок методом атомно-силової мікроскопії показали, що з переходом від підкладинок NaCl до ?-SiO2 зростає середній діяметер кристалітів, які формують плівку від 23 нм до 48 нм. Термооброблення плівок на підкладинках з ?-SiO2 в атмосфері арґону приводить до зростання середніх діяметрів зерен до 68 нм і, відповідно, середньоквадратичної шерсткости від 0,5 нм до 6,1 нм. Проведено аналізу розподілів кристалітів за діяметром і за об’ємом та запропоновано, що у процесі ВЧ-напорошення відбувається зростання вторинних зерен, а у процесі високотемпературного термооброблення відбувається зростання вторинних і третинних зерен.

Ключові слова: оксид Ґалію, європійовий активатор, тонкі плівки, кристаліти, морфологія поверхні.


References
  1. K. H. Choi and H. C. Kang, Materials Letters, 123: 160 (2014); https://doi.org/10.1016/j.matlet.2014.03.038
  2. Lingyi Kong, Jin Ma, Caina Luan, Wei Mi, and Yu Lv, Thin Solid Films, 520, No. 13: 4270 (2012); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.02.027
  3. A. K. Saikumar, Sh. D. Nehate and K. B. Sundaram, ECS J. of Solid State Science and Technol., 8, No. 7: Q3064 (2019); https://doi.org/10.1149/2.0141907jss
  4. M. Higashiwaki, AAPPS Bulletin, 32: 3 (2022); https://doi.org/10.1007/s43673-021-00033-0
  5. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc., 86, No. 6: 1010 (2020); https://doi.org/10.1007/s10812-020-00932-4
  6. C. V. Ramana, R. S. Vemuri, V. V. Kaichev, V. A. Kochubey, A. A. Saraev, and V. V. Atuchin, ACS Appl. Mater. Interfaces, 3: 4370 (2011); https://doi.org/10.1021/am201021m
  7. N. Pushpa, M. K. Kokila, and K. R. Nagabhushana, Materials Letters: X, 18: 100205 (2023); https://doi.org/10.1016/j.mlblux.2023.100205
  8. Kevil Shah, K. V. R. Murthy, and B. S. Chakrabarty, Results in Optics, 11: 100413 (2023); https://doi.org/10.1016/j.rio.2023.100413
  9. I. O. Bordun, O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and Zh. Ya. Tsapovska, Acta Physica Polonika A, 133, No. 4: 914 (2018); https://doi.org/10.12693/APhysPolA.133.914
  10. J. Lakde, Ch. M. Mehare, K. K. Pandey, N. S. Dhoble, and S. J. Dhoble, J. of Physics: Conference Series, 1913: 01229 (2021); https://doi.org/10.1088/1742-6596/1913/1/012029
  11. Sh. Matsumoto, T. Watanabe, and A. Ito, Sensors and Materials, 34, No. 2: 669 (2022); https://doi.org/10.18494/SAM3698
  12. B. N. Rao, P. T. Rao, Sk. E. Basha, D. S. L. Prasanna, K. Samatha, and R. K. Ramachandra, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 34: 955 (2023); https://doi.org/10.1007/s10854-023-10341-w
  13. K. Wasa, M. Kitabatake, and H. Adachi, Thin Film Materials Technology: Sputtering of Compound Materials (New York: William Andrew Inc. Publishing: 2004).
  14. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. J. Kukharskyy, I. I. Medvid, O. Ya. Mylyo, M. V. Partyka, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 17, Iss. 1: 123 (2019) (in Ukrainian); https://doi.org/10.15407/nnn.17.01.123
  15. C. V. Thompson, Sol. State Phys., 55: 269 (2001); https://doi.org/10.1016/S0081-1947(01)80006-0
  16. C. V. Thompson, J. Appl. Phys., 58: 763 (1985); https://doi.org/10.1063/1.336194
  17. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. I. Polovynko, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 19, Iss. 1: 159 (2021); https://doi.org/10.15407/nnn.19.01.159
  18. J. E. Palmer, C. V. Thompson, and Henry L. Smith, J. Appl. Phys., 62, No. 6: 2492 (1987); http://dx.doi.org/10.1063/1.339460
  19. O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. M. Kofliuk, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 20, Iss. 1: 91 (2022); https://doi.org/10.15407/nnn.20.01.091


Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2023 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача