 |
|||||||||
 |
2022, том 20, випуск 1 |
|
|||||||
|
|||||||||
Випуски/2022/том 20 /випуск 1 |
O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. M. Kofliuk, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov
«Surface Morphology of Y2O3:Eu Thin Films at Different Activator Concentrations»
0091–0096 (2022)
PACS numbers: 61.05.cp, 61.72.Ff, 61.72.Mm, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55. J-, 81.15.Cd
Методою атомно-силової мікроскопії (АСМ) досліджено морфологію поверхні тонких плівок Y2O3:Eu, одержаних методою високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення, з концентрацією активатора у 1,0, 2,5 та 5 мол.%. На основі аналізи одержаних результатів встановлено практично лінійну залежність розмірів поверхневих структур від величини концентрації активатора та надлінійне зростання середньоквадратичної шерсткости поверхні та середньої віддалі між зернами. Проведено обговорення одержаних результатів.
Keywords: оксид Ітрію, активатор, тонкі плівки, нанокристаліти.
References
1. N. Harada, A. Ferrier, D. Serrano, M. Persechino, E. Briand, R. Bachelet, I. Vickridge, J. J. Ganem, Ph. Goldner, and A. Tal-laire, J. Appl. Phys., 128, No. 5: 055304 (2020); https://doi.org/10.1063/5.00108332. F. C. B. Martins, E. Firmino, L. S. Oliveira, N. O. Dantas, A. C. Almeida Silva, H. P. Barbosa, T. K. L. Rezende, M. Sousa Goes, M. A. Coutos dos Santos, L. F. Cappa de Oliveira, and J. L. Ferrari, Mater. Chem. Phys., 277: 125498 (2022); https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2021.125498
3. M. Scarafagio, A. Tallaire, K.-J. Tielrooij, D. Cano, A. Grishin, M.-H. Chavanne, F. H. L. Koppens, A. Ringuede, M. Cassir, D. Serrano, P. Goldner, and A. Ferrier, J. Phys. Chem. C, 123, No. 21: 13354 (2019); https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.9b02597
4. J. Rosa, M. J. Heikkila, M. Sirkia, and S. Merdes, Materials, 14, No. 6: 1505 (2021); https://doi.org/10.3390/ma14061505
5. O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, Zh. Ya. Tsapovska, and M. V. Partyka, J. Appl. Spectroscopy, 84, No. 6: 1072 (2018); https://doi.org/10.1007/s10812-018-0589-5
6. H. M. Abdelaal, A. Tawfik, and A. Shaikjee, Mater. Chem. Phys., 242: 122530 (2020); https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2019.122530
7. O. M. Bordun and I. M. Bordun, Optika i Spektroskopiya, 88, No. 5: 775 (1997) (in Russian). 8. Hai Guo and Yan Min Qiao, Optical Materials, 31, No. 4: 583 (2009); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2008.06.011
9. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. M. Kofliuk, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, and M. V. Protsak, Proceedings. 2021 IEEE XIIth International Conference on Electronics and Information Tech-nologies (ELIT) (May 19–21, 2021, Lviv), p. 33.
10. E. V. Berlin and L. A. Seydman, Ionno-Plazmennyye Protsessy v Tonkoplyonochnoy Tekhnologii [Ion-Plasma Processes in Thin Film Technology] (Moscow: Tekhnosfera: 2010) (in Russian).
11. O. M. Bordun, I. O. Bordun, and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectroscopy, 82, No. 3: 390 (2015); https://doi.org/10.1007/s10812-015-0118-8
12. G. W. Collins, S. A. Letts, E. M. Fearon, R. L. McEachern, and T. P. Bernat, Phys. Rev. Lett., 73, No. 5: 708 (1994); https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.73.708
13. P. A. Arutyunov, A. L. Tolstikhina, and V. N. Demidov, Za-vodskaya Laboratoriya. Diagnostika Materialov, 65, No. 9: 27 (1999) (in Russian).
14. A. V. Mitrofanov, O. V. Karban, A. Sugonyako, and M. Lubomska, J. Synch. Investig., 3: 519 (2009); https://doi.org/10.1134/S1027451009040065 .
 Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна ©2003—2022 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины. Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача |