збірник наукових праць наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2022, том 20, випуск 1
Русский English Українська
Отримати статтю →
Том рік сторінка
Випуски Автори PACS Передплатникам Для авторів
Пошук →
Розширений пошук

Випуски

 / 

2022

 / 

том 20 / 

випуск 1

 


Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

Hassan T. B. ALHammade
«Theoretical Study of the Conduction Band and Energy Gap of GaInNAs/InP Quantum Well Structure»
0015–0023 (2022)

PACS numbers: 73.21.Fg, 73.40.Lq, 73.63.Hs, 81.07.St, 85.35.Be

Зміни температури та складу відіграють важливу роль у поліпшенні електронних властивостей низьковимірних напівпровідникових пристроїв. Тому інтерес дослідників до цієї сфери підвищується. У цій статті ми вивчаємо вплив як температури, так і Нітроґенового співвідношення на електронну структуру квантової ями GaxIn1-xNyAs1-y/InP. Модель антиперетинання зон, модель Варшні та модель Бозе–Айнштайна прийнято для визначення ефекту Нітроґену на зону провідности (E- і E+). Ширина забороненої (енергетичної) зони для GaxIn1-xAs як тернарного стопу та зонні зміщення (ΔEc, ΔEv) для квантових ям GaxIn1-xNyAs1-y/InP оцінюються як функції вмісту Нітроґену та температури. Розщеплення зони провідности на дві непараболічні підзони за рахунок додавання Нітроґену до стопу GaInAs сприяє збільшенню зміщенню зони квантової ями GaxIn1-xNyAs1-y/InP, і, таким чином, збільшенню кількости енергетичних станів всередині квантової ями. Результати можуть бути корисні для застосувань в електронних і оптичних пристроях.

Keywords: квантова яма GaxIn1-xNyAs1-y/InP, зона провідности, антиперетинання зон, зміщення зони.


References
 1. E. Herbert Li, IEEE Journal of Quantum Electronics, 34, No. 6: 982 (1998); doi:10.1109/3.678594
2. H. Burkhard, H. W. Dinges, and E. Kuphal, Journal of Applied Physics, 53, No. 1: 655 (1982); https://doi.org/10.1063/1.329973
3. R. Ahuja et al., Solid State Communications, 104, No. 5: 249 (1997); https://doi.org/10.1016/S0038-1098(97)00287-1
4. J. Mudron et al., ASDAM’98. Conference Proceedings. Second In-ternational Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (Cat. No. 98EX172) (IEEE: 1998); doi:10.1109/ASDAM.1998.730207
5. N. P. Siwak, X. Z. Fan, and R. Ghodssi, Journal of Micromechan-ics and Microengineering, 25, No. 4: 043001 (2015); https://doi.org/10.1088/0960-1317/25/4/043001
6 J. Wagner et al., 16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IEEE: 2004); doi:10.1109/ICIPRM.2004.1442604
7. D. Serries et al., Conference Proceedings. 14th Indium Phos-phide and Related Materials Conference (Cat. No. 02CH37307) (IEEE: 2002); doi:10.1109/ICIPRM.2002.1014449
8. W. Shan et al., Journal of Applied Physics, 86, No. 4: 2349 (1999); https://doi.org/10.1063/1.371148
9. R. J. Potter et al., physica status solidi (a), 187, No. 2: 623 (2001); https://doi.org/10.1002/1521-396X(200110)187:2<623::AID-PSSA623>3.0.CO;2-Q
10. S. Procz et al., Journal of Applied Physics, 103, No. 7: 073103 (2008); https://doi.org/10.1063/1.2895002
11. Sajal Paul, J. B. Roy, and P. K. Basu, Journal of Applied Phys-ics, 69, No. 2: 827 (1991); https://doi.org/10.1063/1.348919
12. Czeslaw Skierbiszewski, Semiconductor Science and Technology, 17, No. 8: 803 (2002); https://doi.org/10.1088/0268-1242/17/8/309
13. S. A. Lourenco et al., Journal of Applied Physics, 89, No. 11: 6159 (2001); https://doi.org/10.1063/1.1367875
14. R. Kudrawiec et al., Acta Physica Polonica. Series A: General Physics, 106, No. 2: 249 (2004).
15. T. H. Chen, Y. S. Huang, D. Y. Lin, and K. K. Tiong, Journal of Applied Physics, 96, No. 11: 6298 (2004); https://doi.org/10.1063/1.1805724
16. Katsuhiro Uesugi, Ikuo Suemune, Tatsuo Hasegawa, Tomoyuki Aku-tagawa, and Takayoshi Nakamura, Applied Physics Letters, 76, No. 10: 1285 (2000); https://doi.org/10.1063/1.126010
17. Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Applied Physics Letters, 78, No. 15: 2217 (2001); https://doi.org/10.1063/1.1362335
18. Besire Gonul, Koray Koksal, and Ebru Bakir, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 31, No. 2: 148 (2006); https://doi.org/10.1016/j.physe.2005.11.007
19. Marta Gladysiewicz, Robert Kudrawiec, and Marek S. Wartak, IEEE Journal of Quantum Electronics, 51, No. 5: 1 (2015); doi:10.1109/JQE.2015.2410340.
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2022 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача