|
||||||||||||||||||||||||
Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)
О. L. Мaslyanchuk, T. І. Mykytyuk, І. М. Fodchuk Досліджено тонкоплівкові гетероструктури CdS/\(Cd_{0.92}Mg{0.08}Te\) для застосування у тандемних сонячних елементах. Показано, що виміряні ВАХ сонячних елементів описуються в рамках теорії Саа–Нойса–Шоклі ґенерації–рекомбінації в області просторового заряду гетероструктури. Спектер квантової ефективности з урахуванням дрейфової та дифузійної складових, рекомбінації на фронтальній і тильній поверхнях шару поглинача CdS/\(Cd_{0.92}Mg{0.08}Te\) добре описує виміряні спектри. Зіставлення результатів розрахунку з експериментальними даними уможливлює визначити основні параметри шару CdS/\(Cd_{0.92}Mg{0.08}Te\) і структуру діоди. Keywords: CdMgTe solar cells, charge-transport mechanisms, tandem solar cells, photoelectrical characteristics of solar cells
References
will be published soon
|
||||||||||||||||||||||||
|