|
||||||||||||||||||||||||
Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
О. L. Мaslyanchuk, T. І. Mykytyuk, І. М. Fodchuk Исследованы тонкоплёночные гетероструктуры CdS/\(Cd_{0.92}Mg{0.08}Te\) для применения в тандемных солнечных элементах. Показано, что измеренные ВАХ солнечных элементов описываются в рамках теории Саа–Нойса–Шокли генерации–рекомбинации в области пространственного заряда гетероструктуры. Спектр квантовой эффективности с учётом дрейфовой и диффузионной составляющих, рекомбинации на фронтальной и тыльной поверхностях слоя поглотителя CdS/\(Cd_{0.92}Mg{0.08}Te\) хорошо описывает измеренные спектры. Сопоставление результатов расчёта с экспериментальными данными позволяет определить основные параметры слоя CdS/\(Cd_{0.92}Mg{0.08}Te\) и структуру диода. Keywords: CdMgTe solar cells, charge-transport mechanisms, tandem solar cells, photoelectrical characteristics of solar cells
References
will be published soon
|
||||||||||||||||||||||||
|