Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

Yacine Aoun, Said Benramache
«The Effect of the Doping Levels on Urbach Energy of the Zinc Oxide Thin Films»
0717–0727 (2019)

PACS numbers: 78.55.Et, 78.66.Hf, 78.66.Jg, 78.67.Bf, 81.05.Dz

У рамках запропонованого моделю, розраховану енергію Урбаха нелеґованих і леґованих Бісмутом, Станумом і Ферумом тонких плівок ZnO вивчено як функцію рівнів леґування. Леґовані Бісмутом, Станумом і Ферумом плівки ZnO були нанесені осадженнями матеріялу, що розпорошується, за різних умов типу молярности розчину на основі ZnO та рівнів леґування. Міряння за допомогою цього запропонованого моделю, як виявляється, перебувають у якісній згоді з експериментальними даними з високими коефіцієнтами кореляції у 0,92–0,98. Обчислення енергії Урбаха для леґованих плівок поліпшено аж до максимального підвищення, що відповідає мінімальній помилці, яку знайдено для плівок ZnO, леґованих Станумом і Ферумом, рівною 5,5 і 5,1% відповідно.

Keywords: ZnO, thin film, semiconductor doping, correlation