Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Yacine Aoun, Said Benramache
«The Effect of the Doping Levels on Urbach Energy of the Zinc Oxide Thin Films»
0717–0727 (2019)

PACS numbers: 78.55.Et, 78.66.Hf, 78.66.Jg, 78.67.Bf, 81.05.Dz

В этой работе, в рамках предложенной модели, рассчитанная энергия Урбаха нелегированных и легированных висмутом, оловом и железом тонких плёнок ZnO изучена как функция уровней легирования. Легированные висмутом, оловом и железом плёнки ZnO были нанесены осаждениями распыляемого материала в различных условиях типа молярности раствора на основе ZnO и уровней легирования. Измерения посредством этой предложенной модели, как обнаруживается, находятся в качественном согласии с экспериментальными данными с высокими коэффициентами корреляции 0,92–0,98. Вычисления энергий Урбаха для легированных плёнок улучшены вплоть до максимального повышения, соответствующего минимальной ошибке, которая найдена для плёнок ZnO, легированных оловом и железом, равной 5,5 и 5,1% соответственно.

Keywords: ZnO, thin film, semiconductor doping, correlation