 |
|||||||||
 |
2019, том 17, выпуск 3 |
|
|||||||
|
|||||||||
Выпуски/2019/том 17 /выпуск 3 |
L. S. Monastyrskii, I. B. Olenych, B. S. Sokolovskii
«Modelling of the Electrostatic Potential Distribution in Porous Silicon»
0519–0528 (2019)
PACS numbers: 41.20.Cv, 61.43.Gt, 72.20.Dp, 73.50.Bk, 73.63.-b, 85.30.Tv
Теоретично досліджено особливості ефекту поля у поруватому кремнії з циліндричною формою пор. Просторовий розподіл потенціялу одержано шляхом аналітичного розв’язання Пуассонового рівняння у лінійному наближенні. Координатні залежності електростатичного потенціялу проаналізовано для різних значень радіюса пор і віддалі між порами. На основі одержаних залежностей встановлено, що Дебайова екранівна довжина зменшується зі збільшенням кривини поверхні. Показано, що ефект поля у поруватому кремнії зумовлює зміну електропровідности поруватого шару. Найбільша за модулем відносна зміна провідности відповідає значній кривині поверхні та невеликій віддалі між порами.
Keywords: porous silicon, field effect, modelling, electrostatic potential, electrical conductivity, Debye screening length
References
1. O. Bisi, S. Ossicini, and L. Pavesi, Surf. Sci. Rep., 38: 1 (2000). http:://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)00012-62. H. F ll, M. Christophersen, J. Carstensen, and G. Hasse, Mater. Sci. Eng. R, 39: 93 (2002). http:://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00090-6
3. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys., 82: 909 (1997). http:://doi.org/10.1063/1.366536
4. S. Ozdemir and J. Gole, Curr. Opin. Solid St. Mater. Sci., 11: 92 (2007). http:://doi.org/10.1016/j.cossms.2008.06.003
5. C. Baratto, G. Faglia, G. Sberveglieri, Z. Gaburro, L. Pancheri, C. Oton, and L Pavesi, Sensors, 2: 121 (2002). http:://doi.org/10.3390/s20300121
6. I. B. Olenych, L. S. Monastyrskii, O. I. Aksimentyeva, and B. S. Sokolovskii, Ukr. J. Phys., 56: 1198 (2011) (in Ukrainian).
7. F. A. Harraz, Sensor. Actuat. B Chem., 202: 897 (2014). http:://doi.org/10.1016/j.snb.2014.06.048
8. M. Chiesa, G. Amato, L. Boarino, E. Garrone, F. Geobaldo, and E. Giamello, Angew. Chemie Int. Ed., 42: 5032 (2003). http:://doi.org/10.1002/anie.200352114
9. I. B. Olenych, L. S. Monastyrskii, O. I. Aksimentyeva, and B. S. Sokolovskii, Electron. Mater. Lett., 9: 257 (2013). http:://doi.org/10.1007/s13391-012-2126-7
10. A. S. Vorontsov, L. A. Osminkina, A. E. Tkachenko, E. A. Konstantinova, V. G. Elenskii, V. Yu. Timoshenko, and P. K. Kashkarov, Semiconductors, 41: 953 (2007). http:://doi.org/10.1134/S1063782607080167
11. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (New Jersey: Wiley: 2007).
12. L. S. Monastyrskii, B. S. Sokolovskii, Ya. V. Boyko, and M. P. Alekseichyk, Appl. Nanosci. (2019). http:://doi.org/10.1007/s13204-019-00995-6
 Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна © НАНОСИСТЕМИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2019 © L. S. Monastyrskii, I. B. Olenych, B. S. Sokolovskii, 2019 Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача |