Выпуски

/

2019

/

том 17 /

выпуск 1

Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

V. V. Kidalov, A. F. Dyadenchuk, Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, V. A. Baturin, I. V. Rogozin, O. Y. Karpenko, and Vit. V. Kidalov
«Properties of the ZnO Films Obtained on Mesoporous Si Substrates by means of a Magnetron Sputtering»
0111–0122 (2019)

PACS numbers: 68.37.Hk, 78.30.Fs, 78.55.Et, 78.55.Mb, 78.67.Pt, 78.67.Rb, 81.15.Cd

У роботі методою реактивного магнетронного ВЧ-розпорошення одержано плівки ZnO на підкладинках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою мезопор. Рентґенографічні дослідження ZnO показали, що плівки мають полікристалічну природу з гексагональною ґратницею типу вюрциту. Середні розміри кристалітів склали близько 50–200 нм. Мікроелементна аналіза виявила практично ідеальну стехіометричність ZnO, вирощеного на porous-Si/Si. У плівках ZnO спостерігається ледь помітний пік у зеленій (500–530 нм) і більш виразний у жовто-помаранчевій (590–620 нм) областях спектру.

Keywords: ZnO film, porous substrate Si, method of reactive magnetron RF sputtering

References

1. N. R. Aghamalyan, R. K. Hovsepyan, and S. I. Petrosyan, Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences), 43: No. 4: 177 (2008). https://doi.org/10.3103/S1068337208040051
2. D. Strykov, G. Snider, D. Stewart, and S. Williams, Nature, 453: 80 (2008). https://doi.org/10.1038/nature06932
3. Dae-Kue Hwang, Min-Suk Oh, Jae-Hong Lim, and Seong-Ju Park, Journal of Physics D: Applied Physics, 40: 387 (2007). https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/22/R01
4. K. M. Sandeep, Shreesha Bhat, and S. M. Dharmaprakash, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 104: 36 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2017.01.003
5. S. Mridha and D. Basak, J. Applied Physics, 101: 083102 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2724808
6. A. D. Pogrebnyak, A. A-K. M. Muhammed, and Yu. S. Bukalceva, PSE, 8, No. 4: 348 (2010) (in Russian).
7. R. P. Doherty, Yuekui Sun, Ye Sun, J. L. Warren, N. A. Fox, D. Cherns, and M. N. R. Ashfold, Applied Physics A, 89, No. 1: 49 (2007). https://doi.org/10.1007/s00339-007-4075-9
8. Xianqi Wei, Ranran Zhao, Minghui Shao, Xijin Xu, and Jinzhao Huang, Nanoscale Res. Lett, 8, No. 1: 112 (2013). https://doi.org/10.1186/1556-276X-8-112
9. A. Kh. Abduev, A. K. Akhmedov, A. Sh. Asvarov, and S. Sh. Makhmudov, J. Nano- Electron. Phys., 10, No. 2: 02041 (2018) (in Russian). https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02041
10. C. F. Klingshirn, B. K. Meyer, A. Waag, A. Hoffmann, and J. Geurts, (Berlin: Springer) 359 (2010).
11. S. Nishino, C. Jacob, Y. Okui, S. Ohshima, and Y. Masuda, J. Cryst. Growth, 237-239: 1250 (2002). https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)02229-1
12. S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, and N. A. Feoktistov, phys. status solidi, 56, No. 8: 1457 (2014) (in Russian).
13. V. V. Kidalov, G. A. Sukach, A. S. Revenko, and A. D. Bayda, phys. stat. sol. (a), 202: 1668 (2005). https://doi.org/10.1002/pssa.200461215
14. V. V. Kidalov, G. A. Sukach, A. S. Revenko, and E. P. Potapenko, Semiconductors, 37, No. 11: 1303 (2003) (in Russian). https://doi.org/10.1134/1.1626205
15. V. V. Kidalov, G. A. Sukach, and A. S. Revenko, Russian Journal of Physical Chemistry, 77: 1677 (2003).
16. V. V. Kidalov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, I. P. Soshnikov, M. E. Boiko, M. D. Sharkov, and A. F. Dyadenchuk, ECS J. of Solid State Science and Technology, 7, No. 4: P1 (2018). https://doi.org/10.1149/2.0061804jss
17. V. V. Kidalov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, I. P. Soshnikov, M. E. Boiko, M. D. Sharkov, and A. F. Dyadenchuk, Materials Physics and Mechanics, 36: 39 (2018); https://doi.org/10.18720/MPM.3612018_4 18. S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. V. Redkov, V. V. Kidalov, A. S. Grashchenko, I. P. Soshnikov, and A. F. Dyadenchuk, ECS J. of Solid State Sci. Technol., 7, No. 9: P480 (2018). https://doi.org/10.1149/2.0191809jss
19. Uday Muhsin Nayef, Mohammed Waleed Muayad, and Haider Amer Khalaf, Int. J. Electrochem. Sci., 9: 2278 (2014).
20. J. Serrano, F. J. Manjon, A. H. Romero, F. Widulle, R. Lauck, and M. Cardona, Phys. Rev. Lett., 90: 055510 (2003). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.90.055510
21. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, and F. Koch, phys. status solidi, 215, No. 2: 871 (1999). https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199910)215:2<871::AID-PSSB871>3.0.CO;2-9

Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача