 |
|||||||||
 |
2018, том 16, выпуск 1 |
|
|||||||
|
|||||||||
Выпуски/2018/том 16 /выпуск 1 |
I. B. Olenych
«Transport and Relaxation of a Charge in \(Si-SiO_2\) Nanosystems»
0191–0200 (2018)
PACS numbers: 68.37.Hk, 73.21.La, 73.63.Kv, 78.20.Ci, 78.67.-n, 81.07.Ta, 81.40.Rs
У роботі методами седиментації та термічного окиснення дрібнодисперсних кремнійових частинок одержано нанокристали кремнію в SiO2-оболонці. Досліджено вплив термічного окиснення системи кремнійових нанокристалів на спектри оптичного пропускання у спектральному діяпазоні 12000–48000 см?1. На основі комплексних досліджень методами імпедансної спектроскопії та термостимульованої деполяризації вивчено процеси перенесення та релаксації нерівноважних носіїв заряду. Виявлено локалізовані електронні стани, які впливають на електротранспортні властивості \(Si-SiO_2\)-наносистем. Розрахований енергетичний розподіл густини заповнення станів має максимум у діяпазонах енергій 0,2–0,3, 0,35–0,45 та 0,55–0,65 еВ.
Keywords: silicon nanocrystals, thermal oxidation, electrical conductivity, impedance, thermally stimulated depolarization, charge traps
References
1. S. K. Ray, S. Maikap, W. Banerjee, and S. Das, J. Phys. D: Appl. Phys., 46: 153001 (2013). https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/15/1530012. M. Wang, A. Anopchenko, A. Marconi, E. Moser, S. Prezioso, L. Pavesi, G. Pucker, P. Bellutti, and L. Vanzetti, Physica E, 41: 912 (2009). https://doi.org/10.1016/j.physe.2008.08.009
3. K. Q. Peng and S. T. Lee, Advanced Materials, 23: 198 (2001). https://doi.org/10.1002/adma.201002410
4. L. S. Monastyrskii, O. I. Aksimentyeva, I. B. Olenych, and B. S. Sokolovskii, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 589: 124 (2014). https://doi.org/10.1080/15421406.2013.872400
5. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franz, and F. Priolo, Nature, 408: 440 (2000). https://doi.org/10.1038/35044012
6. N. Daldosso and L. Pavesi, Laser Photonics Rev., 3: 508 (2009). https://doi.org/10.1002/lpor.200810045
7. A. Dutta, S. Oda, Y. Fu, and M. Willander, Jpn. J. Appl. Phys., 39: 4647 (2000). https://doi.org/10.1143/JJAP.39.4647
8. K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEEE Trans. Electron. Dev., 41: 1628 (1994). https://doi.org/10.1109/16.310117
9. T. Shimizu-Iwayama, D. E. Hole, and I. W. Boyd, J. Phys.: Condens. Mater, 11: L601 (1999). https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/34/312
10. X. Wu, A.M. Bittner, K. Kern, Ch. Eggs, and S. Veprek, Appl. Phys. Lett., 77: 645 (2000). https://doi.org/10.1063/1.127072
11. B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys., 91: 798 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1423768
12. I. Olenych, B. Tsizh, L. Monastyrskii, O. Aksimentyeva, and B. Sokolovskii, Solid State Phenom., 230: 127 (2015). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.127
13. L. M. Sorokin, L. V. Grigor'ev, A. E. Kalmykov, and V. I. Sokolov, Phys. Solid State, 47: 1365 (2005).
14. I. B. Olenych, J. Nano- Electron. Phys., 5: 04072 (2013) (in Ukrainian).
15. T.-H. Tsai, Separation and Purification Technology, 78: 16 (2011). https://doi.org/10.1016/j.seppur.2011.01.011
16. V. Lehman and V. Gosele, Appl. Phys. Lett., 58: 856 (1990). https://doi.org/10.1063/1.104512
17. O. Bisi, S. Ossicini, and L. Pavesi, Surf. Sci. Rep., 38: 1 (2000). https://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)00012-6
18. A. Yu. Karlach, G. V. Kuznetsov, S. V. Litvinenko, Yu. S. Milovanov, and V. A. Skryshevsky, Semiconductors, 44: 1342 (2010). https://doi.org/10.1134/S1063782610100179
19. I. Karbovnyk, I. Borshchyshyn, Y. Vakhula, I. Lutsyshyn, H. Klym, and I. Bolesta, Ceramics International, 42: 8501 (2016). https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2016.02.075
20. Y. Gorokhovatsky and H. Bordovsky, Thermally Activated Current Spectroscopy of High-Resistance Semiconductors and Dielectrics (Moscow: Nauka: 1991) (in Russian).
 Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна ©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины. Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача |