Выпуски

/

2018

/

том 16 /

выпуск 1

Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

I. B. Olenych
«Transport and Relaxation of a Charge in \(Si-SiO_2\) Nanosystems»
0191–0200 (2018)

PACS numbers: 68.37.Hk, 73.21.La, 73.63.Kv, 78.20.Ci, 78.67.-n, 81.07.Ta, 81.40.Rs

В работе методами седиментации и термического окисления мелкодисперсных кремниевых частиц получены нанокристаллы кремния в SiO2-оболочке. Исследовано влияние термического окисления системы кремниевых нанокристаллов на спектры оптического пропускания в спектральном диапазоне 12000–48000 см?1. На основе комплексных исследований методами импедансной спектроскопии и термостимулированной деполяризации изучены процессы переноса и релаксации неравновесных носителей заряда. Выявлены локализованные электронные состояния, которые влияют на электрические свойства \(Si-SiO_2\)-наносистем. Рассчитанное энергетическое распределение плотности заполнения состояний обладает максимумом в диапазонах энергий 0,2–0,3, 0,35–0,45 и 0,55–0,65 эВ.

Keywords: silicon nanocrystals, thermal oxidation, electrical conductivity, impedance, thermally stimulated depolarization, charge traps

References

1. S. K. Ray, S. Maikap, W. Banerjee, and S. Das, J. Phys. D: Appl. Phys., 46: 153001 (2013). https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/15/153001
2. M. Wang, A. Anopchenko, A. Marconi, E. Moser, S. Prezioso, L. Pavesi, G. Pucker, P. Bellutti, and L. Vanzetti, Physica E, 41: 912 (2009). https://doi.org/10.1016/j.physe.2008.08.009
3. K. Q. Peng and S. T. Lee, Advanced Materials, 23: 198 (2001). https://doi.org/10.1002/adma.201002410
4. L. S. Monastyrskii, O. I. Aksimentyeva, I. B. Olenych, and B. S. Sokolovskii, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 589: 124 (2014). https://doi.org/10.1080/15421406.2013.872400
5. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franz, and F. Priolo, Nature, 408: 440 (2000). https://doi.org/10.1038/35044012
6. N. Daldosso and L. Pavesi, Laser Photonics Rev., 3: 508 (2009). https://doi.org/10.1002/lpor.200810045
7. A. Dutta, S. Oda, Y. Fu, and M. Willander, Jpn. J. Appl. Phys., 39: 4647 (2000). https://doi.org/10.1143/JJAP.39.4647
8. K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEEE Trans. Electron. Dev., 41: 1628 (1994). https://doi.org/10.1109/16.310117
9. T. Shimizu-Iwayama, D. E. Hole, and I. W. Boyd, J. Phys.: Condens. Mater, 11: L601 (1999). https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/34/312
10. X. Wu, A.M. Bittner, K. Kern, Ch. Eggs, and S. Veprek, Appl. Phys. Lett., 77: 645 (2000). https://doi.org/10.1063/1.127072
11. B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys., 91: 798 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1423768
12. I. Olenych, B. Tsizh, L. Monastyrskii, O. Aksimentyeva, and B. Sokolovskii, Solid State Phenom., 230: 127 (2015). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.127
13. L. M. Sorokin, L. V. Grigor'ev, A. E. Kalmykov, and V. I. Sokolov, Phys. Solid State, 47: 1365 (2005).
14. I. B. Olenych, J. Nano- Electron. Phys., 5: 04072 (2013) (in Ukrainian).
15. T.-H. Tsai, Separation and Purification Technology, 78: 16 (2011). https://doi.org/10.1016/j.seppur.2011.01.011
16. V. Lehman and V. Gosele, Appl. Phys. Lett., 58: 856 (1990). https://doi.org/10.1063/1.104512
17. O. Bisi, S. Ossicini, and L. Pavesi, Surf. Sci. Rep., 38: 1 (2000). https://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)00012-6
18. A. Yu. Karlach, G. V. Kuznetsov, S. V. Litvinenko, Yu. S. Milovanov, and V. A. Skryshevsky, Semiconductors, 44: 1342 (2010). https://doi.org/10.1134/S1063782610100179
19. I. Karbovnyk, I. Borshchyshyn, Y. Vakhula, I. Lutsyshyn, H. Klym, and I. Bolesta, Ceramics International, 42: 8501 (2016). https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2016.02.075
20. Y. Gorokhovatsky and H. Bordovsky, Thermally Activated Current Spectroscopy of High-Resistance Semiconductors and Dielectrics (Moscow: Nauka: 1991) (in Russian).

Все статьи доступны по Лицензии Creative Commons “Attribution-NoDerivatives” («атрибуция — без производных статей») 4.0 Всемирная
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение