Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

Bashir Mohi Ud Din Bhat and Khurshed A. Shahko
«Effect of Dot Size on Exciton Energy States Confined in a Spherical Gallium Arsenide Quantum Dot »
0175–0179 (2018)

PACS numbers: 71.15.Qe, 71.35.-y, 73.20.Mf, 73.21.La, 78.67.Hc

Тут ми повідомляємо про вплив розміру точки на енергії екситонів, що містяться у сферичній точці арсеніду ґалію (GaAs), виявивши, що енергія екситона істотно залежить від розміру точки. Результати показали, що, зі збільшенням розміру точки як енергія основного стану, так і енергія першого збудженого стану зменшуються, і за заданого радіюса точки виявляється, що енергія екситона першого збудженого стану збільшується на 5 порядків величини понад енергію екситона основного стану. Крім того, нами було розраховано та побудовано залежність густини ймовірности від розміру екситонної точки у квантовій точці GaAs, а результати показують, що ймовірність екситона в основному стані дорівнює нулю, тоді як вона є максимальною в першому збудженому стані. Дана робота істотно пояснює енергії екситонів у квантовій точці GaAs та їх залежності від розміру напівпровідникової квантової точки, що знайде низку прикладних застосувань при моделюванні майбутніх нанорозмірних електронних пристроїв.

Keywords: exciton energy, GaAs quantum dot, probability density, variational method, effective mass approximation