|
||||||||||||||||||||||||
Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
Bashir Mohi Ud Din Bhat and Khurshed A. Shahko Здесь мы сообщаем о влиянии размера точки на энергии экситонов, которые содержатся в сферической точке арсенида галлия (GaAs), обнаружив, что энергия екситона существенным образом зависит от размера точки. Результаты показали, что с увеличением размера точки как энергия основного состояния, так и энергия первого возбуждённого состояния уменьшаются, и при заданном радиусе точки оказывается, что энергия екситона первого возбуждённого состояния увеличивается на 5 порядков величины свыше энергии екситона основного состояния. Кроме того, нами была рассчитана и построена зависимость плотности вероятности от размера экситонной точки в квантовой точке GaAs, а результаты показывают, что вероятность экситона в основном состоянии равняется нулю, тогда как она является максимальной в первом возбуждённом состоянии. Данная работа существенным образом объясняет энергии экситонов в квантовой точке GaAs и их зависимости от размера полупроводниковой квантовой точки, что найдёт ряд прикладных применений при моделировании будущих наноразмерных электронных устройств. Keywords: exciton energy, GaAs quantum dot, probability density, variational method, effective mass approximation
References
1. L. B nyai and S. W. Koch, Semiconductor Quantum Dots (Singapore: World Scientific: 1993). https://doi.org/10.1142/2019 |
||||||||||||||||||||||||
|