Выпуски

/

2018

/

том 16 /

выпуск 1

Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov
«Photoelectric Properties of Thin \(\beta-Ga_2O_3\) Films»
0167–0174 (2018)

PACS numbers: 68.37.Ps, 68.55.J-, 73.50.Pz, 78.55.Hx, 78.56.-a, 78.60.-b, 81.15.-z

Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок \(\beta-Ga_2O_3\), одержаних методою високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Виявлено наявність власної фотопровідности та її особливості, залежно від умов одержання плівок. Проведено аналізу спектрального зміщення максимуму смуги збудження фотопровідности, залежно від наявности термооброблення плівок.

Keywords: gallium oxide, thin films, crystallite, photoconductivity

References

1. J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, and E.-Q. Xie, Chinese Phys. Lett., 25, No. 10: 3787 (2008).
2. K. Shimamura, E. G. V llora, T. Ujiie, and K. Aoki, Appl. Phys. Lett., 92, No. 20: 201914 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2910768
3. P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, and J. F. Muth, Mater. Sci. Eng. B, 146, Nos. 1-3: 252 (2008). https://doi.org/10.1016/j.mseb.2007.07.060
4. T. Miyata, T. Nakatani, and T. Minami, Thin Sol. Films, 373: 145 (2000). https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)01123-8
5. Z. Ji, J. Du, J. Fan, and W. Wang, Opt. Materials, 28, No. 4: 415 (2006). https://doi.org/10.1016/j.optmat.2005.03.006
6. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 82, No. 2: 218 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1536029
7. S.-A. Lee, S.-Y. Jeong, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, M.-G. Ha, and C.-R. Cho, Integr. Ferroelectr., 74, No. 1: 173 (2005). https://doi.org/10.1080/10584580500414192
8. V. M. Kalygina, A. N. Zarubin, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, S. Yu. Tsupiy, and T. M. Yaskevich, Fiz. Tekhn. Poluprovodnikov, 47, No. 5: 598 (2013) (in Russian). https://doi.org/10.1134/S1063782613050126
9. Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, and S. Nakagomi, Appl. Phys. Lett., 90, No. 3: 031912 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2432946
10. J. Hao and M. Cocivera, J. Phys. D: Appl. Phys., 35, No. 5: 433 (2002). https://doi.org/10.1088/0022-3727/35/5/304
11. Y. Wei, Y. Jinliang, W. Jiangyan, Z. Liying, J. Semicond., 33, No. 7: 073003 (2012). https://doi.org/10.1088/1674-4926/33/7/073003
12. E. V. Berlin and L. A. Seidman, Ionno-Plazmennyye Protsessy v Tonkoplenochnoy Tekhnologii (Moscow: Tekhnosfera: 2010) (in Russian).
13. O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, and V. B. Lushchanets, J. Appl. Spectrosc., 81, No. 5: 771 (2014). https://doi.org/10.1007/s10812-014-0004-9
14. S. J. Pearton, J. Yang, P. H. Cary IV, F. Ren, J. Kim, M. J. Tadjer, and M. A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, No. 1: 011301 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5006941
15. I. B. Vendik, A. N. Ermolenko, V. V. Esipov, B. M. Pchelkin, and M. F. Sitnikova, Zhurn. Tekhn. Fiz., 58, No. 12: 2323 (1988) (in Russian).
16. W. Sinkler, L. D. Marks, D. D. Edwards, T. O. Mason, K. R. Poeppelmeier, Z. Hu, and J. D. Jorgensen, J. Solid State Chem., 136, No. 1: 145 (1998). https://doi.org/10.1006/jssc.1998.7804
17. V. I. Vasyltsiv, Ya. I. Rym, and Ya. M. Zakharko, phys. status solidi (b), 195, No. 2: 653 (1996). https://doi.org/10.1002/pssb.2221950232
18. V. V. Tokiy, V. I. Timchenko, and V. A. Soroka, Fiz. Tverd. Tela, 45, No. 4: 600 (2003) (in Russian). https://doi.org/10.1134/1.1568996
19. T. V. Blank and Yu. A. Gol'dberg, Fiz. Tekhn. Poluprovodnikov, 41, No. 11: 1281 (2007) (in Russian).
20. O. M. Bordun, V. G. Bihday, and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc., 80, No. 5: 721 (2013). https://doi.org/10.1007/s10812-013-9832-2
21. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc, 84, No. 1: 46 (2017). https://doi.org/10.1007/s10812-017-0425-3
22. S. K. Sampath and J. F. Cordaro, J. Am. Ceram. Soc., 81, No. 3: 649 (1998). https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1998.tb02385.x
23. F. Litimein, D. Rached, R. Khenata, and H. Baltache, J. Alloys Comp., 488, No. 1: 148 (2009). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.08.092
24. M. Michling and D. Schmei er, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 34: 012002 (2012). https://doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012002
25. H. H. Tippins, Phys. Rev., 140, No. 1A: A316 (1965). https://doi.org/10.1103/PhysRev.140.A316

Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача