Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Ю. А. Первак, В. В. Федоров
«Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами»
0467–0476 (2012)

PACS numbers: 42.70.Qs, 42.79.Bh, 42.79.Wc, 77.84.Bw, 78.67.Pt, 81.70.Fy

просторовий розподіл електричного поля в 1D фотонному кристалі. Встановлено, що електричне поле концентрується всередині дефектних шарів з меншою діелектричною проникністю, а у випадку високої діелектричної проникности дефектного півхвильового шару — на інтерфейсах шарів з низькою та високою діелектричною проникністю. Показано, що збільшення ріжниці в товщині центрального та двох крайніх резонаторів, що утворюють дефекти фотонного кристалу, істотно зростає електричне поле в області резонаторів. За ріжниці в товщині у 40% електричне поле в області резонаторних шарів перевищує електричне поле на вхідній поверхні в 5000 разів.