збірник наукових праць наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2024, том 22, випуск 4
English Українська
Отримати статтю →
Том рік сторінка
Випуски PACS Передплатникам Для авторів
Пошук →
Розширений пошук

Випуски

 / 

2024

 / 

том 22 / 

випуск 4

 


Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

Yana SYCHIKOVA, Sergii KOVACHOV, Ihor BOHDANOV, Ivan KOSOGOV, Daria DROZHCHA, Zhakyp T. KARIPBAYEV, and Anatoli I. POPOV

Investigation of the Dynamics of Electrochemical Dissolution of n-InP(111) in Various Electrolyte Compositions and Determination of Optimal Etching Conditions
1025–1037 (2024)

PACS numbers: 81.15.Pq, 81.16.Be, 81.65.Cf, 82.45.Mp, 82.45.Qr, 82.45.Yz, 82.47.Wx

Представлено результати дослідження динаміки електрохемічного розчинення n-InP(111) на підґрунті аналізи поведінки системи «електроліт–напівпровідник» у різних композиціях електролітів із врахуванням критичних точок електрохемічної реакції. Критичні точки визначають як характеристики технологічного процесу, за яких спостерігається активне фазове розчинення поверхні зразка. Ми визначили мінімальне та максимальне значення густини струму, необхідні для ініціювання процесу пороутворення на поверхні n-InP(111) у різних композиціях електролітів. Додатково для всіх випадків визначено тривалість активної фази поверхневого розчинення та значення потенціялу Фладе. Це уможливило встановити оптимальні параметри часу оброблення, густини струму та напруги анодування для щавлення n-InP(111) у водяних і спиртових розчинах соляної, фтористоводневої й азотної кислот. Це, у свою чергу, дає змогу зрозуміти та дослідити кінетику електрохемічного розчинення поверхні, що є важливим результатом для уніфікації вимог технологічного процесу наноструктурування поверхні фосфіду Індію. Представлені нами інструменти для аналізи динаміки електрохемічного розчинення n-InP можуть бути застосовані для оцінки поведінки різних напівпровідників під час електрохемічного щавлення

КЛЮЧОВІ СЛОВА: електрохемічне щавлення, електрохемічна реакція, електроліт, потенціял Фладе, критичні точки, оптимальні умови


REFERENCES
  1. I. Karbovnyk, B. Sadoviy, B. Turko, P. K. Khanna, and A. V. Kukhta, Opt. Quantum Electron., 53, No. 11: 647 (2021); https://doi.org/10.1007/s11082-021-03292-1
  2. J. A. Suchikova, V. V. Kidalov, and G. A. Sukach, ECS Trans., 25, No. 24: 59 (2009); https://doi.org/10.1149/1.3316113
  3. S. Kumar, G. Saeed, L. Zhu, K. N. Hui, N. H. Kim, and J. H. Lee, Chem. Eng. J., 403: 126352 (2021); https://doi.org/10.1016/j.cej.2020.126352
  4. Y. O. Suchikova, I. T. Bogdanov, S. S. Kovachov, V. O. Myroshnychenko, and N. Y. Panova, Arch. Mater. Sci. Eng., 101, No. 1: 15 (2020); https://doi.org/10.5604/01.3001.0013.9502
  5. M. J. Molaei, Anal. Methods, 12, No. 10: 1266 (2020); https://doi.org/10.1039/C9AY02696G
  6. R. B. Rajput, S. N. Jamble, and R. B. Kale, J. Environ. Manage., 307: 114533 (2022); https://doi.org/10.1016/j.jenvman.2022.114533
  7. F. I. Danilov, D. A. Bogdanov, and V. S. Protsenko, Vopr. Khim. Khim. Tekhnol., 2: 3 (2022); https://doi.org/10.32434/0321-4095-2022-141-2-3-8
  8. Y. S. Yana, Handbook of Nanoelectrochemistry: Electrochem. Synth. Methods, Prop., Charact. Tech., 283 (2016); https://doi.org/10.1007/978-3-319-15266-0_9
  9. J. A. Suchikova, V. V. Kidalov, and G. A. Sukach, Funct. Mater., 17, No. 1: 131 (2010); J. A. Suchikova, V. V. Kidalov, and G. A. Sukach, Semiconductors, 45, No. 1: 121 (2011); https://doi.org/10.1134/S1063782611010192
  10. S. S. Kovachov, I. T. Bogdanov, D. O. Pimenov, V. V. Bondarenko, A. A. Konovalenko, and M. M. Skurska, Arch. Mater. Sci. Eng., 110, No. 1: 18 (2021); https://doi.org/10.5604/01.3001.0015.3592
  11. C. Joseph Kennady, A. Leo, and P. Esther, Vopr. Khim. Khim. Tekhnol., 2: 17 (2022); https://doi.org/10.32434/0321-4095-2022-141-2-17-23
  12. Abay Usseinov, Zhanymgul Koishybayeva, Alexander Platonenko, Vladimir Pankratov, Yana Suchikova, Abdirash Akilbekov, Maxim Zdorovets, Juris Purans, and Anatoli I. Popov, Mater., 14, No. 23: 7384 (2021); https://doi.org/10.3390/ma14237384
  13. A. Usseinov, Z. Koishybayeva, A. Platonenko, A. Akilbekov, J. Purans, and V. Pankratov, Latv. J. Phys. Tech. Sci., 58, No. 2: 3 (2021); https://doi.org/10.2478/lpts-2021-0007
  14. Y. A. Suchikova, V. V. Kidalov, and G. A. Sukach, J. Nano- Electron. Phys., 1, No. 4: 78 (2009).
  15. Niankun Guo, Hui Xue, Amurisana Bao, Zihong Wang, Jing Sun, Tianshan Song, Xin Ge, Wei Zhang, Keke Huang, Feng He, and Qin Wang, Angewandte Chemie, 132, No. 33: 13882 (2020); https://doi.org/10.1002/ange.202002394
  16. Y. A. Suchikova, V. V. Kidalov, and G. A. Sukach, Semiconductors, 45, No. 1: 121 (2011); https://doi.org/10.1134/S1063782611010192
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2024 НАНОСИСТЕМИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної Академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача