збірник наукових праць наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2024, том 22, випуск 3
English Українська
Отримати статтю →
Том рік сторінка
Випуски PACS Передплатникам Для авторів
Пошук →
Розширений пошук

Випуски

 / 

2024

 / 

том 22 / 

випуск 3

 


Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

ISRAA AKRAM ABBAS, AMEERA J. KADHM, and RAHEEM LAFTA ALI

Study of the Effect of Li Doping on ZnO Films Using RF-Magnetron Sputtering Method at Low Temperature
623–636 (2024)

PACS numbers: 73.61.-r, 77.22.Ch, 77.22.Gm, 78.66.Li, 78.67.Sc, 81.15.Cd, 81.40.Tv

У цьому дослідженні ми вивчаємо вплив концентрацій леґувального Літію (3, 6 і 9%) на оптичні й електричні властивості плівок, що містять ZnO, леґованих Літієм. Плівки ZnO, леґовані Літієм, було виготовлено методом радіочастотного (РЧ) магнетронного розпорошення. Досліджено оптичні й електричні властивості осадження тонких плівок за різних потужностей РЧ-розпорошення у плазмовій камері. Досліджено електричні й оптичні властивості тонкого шару. Результати стосовно оптичних властивостей тонких плівок (ZnO/Li) показують, що поглинання, коефіцієнт поглинання й оптична провідність зростають зі збільшенням концентрації Li, тоді як ширина забороненої зони та коефіцієнт пропускання зменшуються зі збільшенням концентрації Li. Для всіх протестованих температур провідність на постійному струмі плівки ZnO збільшується після леґування Li. Тест стосовно постійного струму показує, що всі плівки мають однакову енергію активації, а значення цієї енергії зростає зі збільшенням рівня леґування Літієм. Електричні властивості стосовно змінного струму показують, що зі збільшенням частоти електричного поля діелектрична проникність і діелектричні втрати всіх плівок зменшуються

КЛЮЧОВІ СЛОВА: плівки ZnO, метод радіочастотного магнетронного розпорошення, леґування Літієм, нанокомпозит, оптичні й електричні властивості


REFERENCES
  1. J. Wang, H. Pan, X. Xu, H. Jin, W. Ma, S. Xiong, Q. Bao, Z. Tang, and Z. Ma, ACS Appl. Mater. Interface, 14, No. 10: 12450 (2022); https://doi.org/10.1021/acsami.1c22093
  2. E. Cheng, S. Huang, D. Chen, R. Huang, Q. Wang, Z. Hu, Y. Jiang, Z. Li, B. Zhao, and Z. Chen, Acta Crystallogr. C: Struct. Chem., 75, No. 7: 969 (2019); https://doi.org/10.1107/S2053229619008222
  3. P. Bhat and S. K. Naveen Kumar, J. Mater. Sci.: Mater. in Elect., 33, No. 3: 1529 (2022); https://doi.org/10.1007/s10854-021-07664-x
  4. K. Singh, H. Kaur, P.K. Sharma, G. Singh, and J. Singh, Chemosphere, 313: 137322 (2023); https://doi.org/10.1016/j.chemosphere.2022.137322
  5. G. Voicu, D. Miu, C. D. Ghitulica, S. I. Jinga, A. I. Nicoara, C. Busuioc, and A. M. Holban, Ceram. Int., 46, No. 3: 3904 (2020); https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.10.118
  6. X. Zhao, K. Nagashima, G. Zhang, T. Hosomi, H. Yoshida, Y. Akihiro, M. Kanai, W. Mizukami, Z. Zhu, T. Takahashi, and M. Suzuki, Nano Lett., 20, No. 1: 599 (2019); https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b04367
  7. L. Tang, Y. Jia, Z. Zhu, Y. Hua, J. Wu, Z. Zou, and Y. Zhou, Molecules, 27, No. 3: 833 (2022); https://doi.org/10.3390%2Fmolecules27030833
  8. M. Kwoka, E. Comini, D. Zappa, and J. Szuber, Nanomaterials, 12, No. 15: 2666 (2022); https://doi.org/10.3390%2Fnano12152666
  9. X. Zhan, F. Gao, Q. Zhuang, Y. Zhang, and J. Dang, ACS Omega, 7, No. 10: 8960 (2022); https://doi.org/10.1021%2Facsomega.1c07370
  10. S. Nandi, S. Kumar, and A. Misra, Mater. Adv., 2, No. 21: 6768 (2021); https://doi.org/10.1039/D1MA00670C
  11. L. Fan, T. Xiao, C. Zhong, J. Wang, J. Chen, X. Wang, L. Peng, and W. Wu, Cryst. Eng. Comm., 21, No. 8: 1288 (2019); https://doi.org/10.1039/c8ce01886c
  12. S. Y. Tsai, M. H. Hon, and Y. M. Lu, J. Cryst. Growth, 326, No. 1: 85 (2011); https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.01.058
  13. S. Ghosh, G. G. Khan, A. Ghosh, S. Varma, and K. Mandal, Cryst. Eng. Comm., 15, No. 38: 7748 (2013); https://doi.org/10.1039/c3ce40717a
  14. Z. Zhang, K. E. Knutsen, T. Merz, A. Y. Kuznetsov, B. G. Svensson, and L. J. Brillson, J. Phys. D: Appl. Phys., 45, No. 37: 375301 (2012); https://doi.org/10.1088/0022-3727/45/37/375301
  15. S. Yu, L. Ding, H. Zheng, C. Xue, L. Chen, and W. Zhang, Thin Solid Films, 540: 146 (2013); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.05.125
  16. M. Rahman, M. Kamruzzaman, J. A. Zapien, R. Afrose, T. K. Anam, M. N. Liton, M. A. Helal, and M. K. Khan, Mater. Today Commun., 33: 104278 (2022); https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.104278
  17. K.-H. Wu, L.-Y. Peng, M. Januar, K.-C. Chiu, and K.-C. Liu, Thin Solid Films, 570: 417 (2014); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.03.062
  18. D. Wang, J. Zhou, and G. Liu, J. Alloys Compd., 481, Nos. 1–2: 802 (2009); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.03.111
  19. T. T. Wang, M. M. Dai, Y. J. Yan, H. Zhang, and Y. M. Yu, Appl. Mech. Mater., 734: 796 (2015); https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.734.796
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2024 НАНОСИСТЕМИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної Академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача