збірник наукових праць наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2024, том 22, випуск 2
English Українська
Отримати статтю →
Том рік сторінка
Випуски PACS Передплатникам Для авторів
Пошук →
Розширений пошук

Випуски

 / 

2024

 / 

том 22 / 

випуск 2

 


Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

O.M. BORDUN, I.Yo. KUKHARSKYY, M.V. PROTSAK, I.I. MEDVID, I.M. KOFLIUK, Zh.Ya. TSAPOVSKA, and D.S. LEONOV

Synthesis and Structure of Thin GaN Films by Radio-Frequency Sputtering
287–293 (2024)

PACS numbers: 61.05.cp, 61.72.Cc, 61.72.Mm, 68.35.Ct, 68.55.J-, 81.07.Bc, 81.15.Cd

Досліджено структуру й особливості нанесення тонких плівок GaN способом високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення. Показано, що тонкі плівки GaN формуються з нанокристалітів, середні розміри яких становлять 14,3 нм із достатньо низькими значеннями напружень кристалічної ґратниці. Досліджено вплив тиску робочого газу N2 та температури підкладинки на швидкість нанесення плівок

КЛЮЧОВІ СЛОВА: нітрид Ґалію, тонкі плівки, високочастотне напорошення, структура


REFERENCES
  1. C. M. Furqan, Jacob Y. L. Ho, H. S. Kwok, Surfaces and Interfaces, 26: 101364 (2021); https://doi.org/10.1016/j.surfin.2021.101364
  2. L. Srinivasan, C. Jadaud, F. Silva, J.-Ch. Vanel, J.-L. Maurice, E. Johnson, P. Roca i Cabarrocas, and K. Ouaras, J. Vac. Sci. Technol. A, 41: 053407 (2023); https://doi.org/10.1116/6.0002718
  3. F. Roccaforte and M. Leszczynski, Nitride Semiconductor Technology. Power Electronics and Optoelectronic Devices (Wiley–VCH Verlag GmbH & Co. KGaA: 2020).
  4. M. Higashiwaki, AAPPS Bull., 32: 3 (2022); https://doi.org/10.1007/s43673-021-00033-0
  5. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc., 86, No. 6: 1010 (2020); https://doi.org/10.1007/s10812-020-00932-4
  6. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc., 84, No. 1: 46 (2017); https://doi.org/10.1007/s10812-017-0425-3
  7. A. Zhong, L. Wang, Y. Tang, Yo. Yang, J. Wang, H. Zhu, Zh. Wu, W. Tang, and B. Li, Chin. Phys. B, 32: 076102 (2023); https://doi.org/10.1088/1674-1056/accb8a
  8. M. Monish, Sh. Mohan, D. S. Sutar, and S. S. Major, Semicond. Sci. Technol., 35, No. 4: 045011 (2020); https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab73ec
  9. V. Bondar, I. Kucharsky, B. Simkiv, L. Akselrud, V. Davydov, Yu. Dubov, and S. Popovich, phys. stat. sol. (a), 176, No. 1: 329 (1999); https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<329::AID-PSSA329>3.0.CO;2-E
  10. Kiyotaka Wasa, Makoto Kitabatake, and Hideaki Adachi, Thin Film Materials Technology: Sputtering of Compound Materials (William Andrew: 2004).
  11. R. Swanepoel, J. Phys. E: Sci. Instrum., 16, No. 12: 1214 (1983); https://doi.org/1010.1088/0022-3735/16/12/023
  12. A. P. Caricato, A. Fazzi, and G. Leggieri, Applied Surface Science, 248: 440 (2005); https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.03.069
  13. T. Maruyama and H. Miyake, J. Vac. Sci. Technol. A, 24, No. 4: 1096 (2006); https://doi.org/10.1116/1.2208988
  14. R. S. de Oliveira, H. A. Folli, C. Stegemann, I. M. Horta, B. S. Damasceno, W. Miyakawa, A. L. J. Pereira, M. Massi, A. S. da Silva Sobrinho, and D. M. G. Leite, Materials Research., 25: e20210432 (2022); https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2021-0432
  15. O. M. Bordun, I. O. Bordun, and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc., 82, No. 3: 390 (2015); https://doi.org/10.1007/s10812-015-0118-8
  16. O. M. Bordun and L. M. Lymarenko, Ukr. J. of Physics, 42, Nos. 11–12: 1390 (1997) (in Ukrainian).
  17. S. L. Morelh?o, Computer Simulation Tools for X-Ray Analysis. Scattering and Diffraction Methods (Cham, Switzerland: Springer International Publishing: 2016).
  18. U. Welzel, J. Ligot, P. Lamparter, A. C. Vermeulen, and E. J. Mittemeijer, J. Appl. Cryst., 38: 1 (2005); https://doi.org/10.1107/S0021889804029516
  19. O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. M. Kofliuk, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, О. Ya. Mylyo, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 17, Iss. 4: 711 (2019); https://doi.org/10.15407/nnn.17.04.711
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2024 НАНОСИСТЕМИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної Академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача