збірник наукових праць наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2024, том 22, випуск 1
English Українська
Отримати статтю →
Том рік сторінка
Випуски PACS Передплатникам Для авторів
Пошук →
Розширений пошук

Випуски

 / 

2024

 / 

том 22 / 

випуск 1

 


Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

O.M. BORDUN, B.O. BORDUN, I.I. MEDVID, M.V. PROTSAK, I.YO. KUKHARSKYY, K.L. BILIAK, D.M. MAKSYMCHUK, I.M. KOFLIUK, AND D.S. LEONOV

Surface Morphology of Thin Films of (Y0,06Ga0,94)2O3 Activated by Cr3+
1–11 (2024)

PACS numbers: 61.72.Cc, 61.72.Mm, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55. A-, 68.55. Jk, 81.15.Cd

Методом високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення в атмосфері арґону на полікристалічних підкладинках полікору й аморфних підкладинках іпсілон-SiO2 одержано тонкі плівки (Y0,06Ga0,94)2O3:Cr. Дослідження морфології поверхні тонких плівок методом атомно-силової мікроскопії (АСМ) показали, що з переходом від підкладинок іпсілон-SiO2 до полікору зростає середній діяметер кристалітів, які формують плівку від 123 нм до 372 нм для плівок, відпалених у атмосфері арґону. Термооброблення плівок на підкладинках з іпсілон-SiO2 у атмосфері арґону приводить до збільшення середньоквадратичної шерсткости тонких плівок, що становлять для невідпаленої та відпаленої плівок у атмосфері арґону 1,2 нм і 2,9 нм відповідно. Проведено аналізу розподілів кристалітів за величиною діяметра зерен і встановлено, що за термооброблення плівок (Y0.06Ga0.94)2O3:Cr на підкладинках іпсілон-SiO2 спостерігається зростання кристалітів перпендикулярно до поверхні плівки.

КЛЮЧОВІ СЛОВА: оксид Ґалію, хром-активатор, тонкі плівки, кристаліти, морфологія поверхні, АСМ


REFERENCES
  1. M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui and S. Yamakoshi, phys. status solidi (a), 211, No. 1: 21 (2014); https://doi.org/10.1002/pssa.201330197
  2. M. He, Q. Zeng, and L. Ye, Crystals, 13, No. 10: 1434 (2023); https://doi.org/10.3390/cryst13101434
  3. X. Chen, K. W. Liu, Z. Z. Zhang, C. R. Wang, B. H. Li, H. F. Zhao, D. X. Zhao, and D. Z. Shen, ACS Appl. Mater. Inter., 8, No. 6: 4185 (2016); https://doi.org/10.1021/acsami.5b11956
  4. S. Kumar and R. Singh, phys. status solidi (RRL), 7, No. 10: 781 (2013); https://doi.org/10.1002/pssr.201307253
  5. D. Y. Guo, Z. P. Wu, Y. H. An, P. G. Li, P. C. Wang, X. L. Chu, X. C. Guo, Y. S. Zhi, M. Lei, L. H. Li, and W. H. Tang, Appl. Phys. Lett., 106, No. 6: 042105 (2015); https://doi.org/10.1063/1.4907174
  6. S. Kumar, S. Dhara, R. Agarwal, and R. Singh, J. Alloys Compounds, 683: 143 (2016); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.05.079
  7. R. Suzuki, S. Nakagomi, Y. Kokubun, N. Arai, and S. Ohira, Appl. Phys. Lett., 94, No. 22: 222102 (2009); https://doi.org/10.1063/1.3147197
  8. K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, IEEE Electron. Device Lett., 34, No. 4: 493 (2013); https://doi.org10.1109/LED.2013.2244057
  9. M. Higashiwaki, AAPPS Bull., 32: 3 (2022); https://doi.org/10.1007/s43673-021-00033-0
  10. K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, J. Cryst. Growth, 378: 591 (2013); https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.02.015
  11. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc., 86, No. 6: 1010 (2020); https://doi.org/10.1007/s10812-020-00932-4
  12. A. K. Saikumar, Sh. D. Nehate, and K. B. Sundaram, ECS J. of Solid State Science and Tech-nol., 8, No. 7: Q3064 (2019); https://doi.org/10.1149/2.0141907jss
  13. Lingyi Kong, Jin Ma, Caina Luan, Wei Mi, and Yu Lv, Thin Solid Films, 520, No. 13: 4270 (2012); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.02.027
  14. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. I. Medvid, and I. Yo. Kukharskyy, Acta Physica Polonica A, 133, No. 4: 910 (2018); https://doi.org/10.12693/APhysPolA.133.910
  15. K. H. Choi and H. C. Kang, Materials Letters, 123: 160 (2014); https://doi.org/10.1016/j.matlet.2014.03.038
  16. C. B. Willingham, J. M. Wahl, P. K. Hogan, L. C. Kupferberg, T. Y. Wong, and A. M. De, Proc. SPIE, 5078: 179 (2003); https://doi.org/10.1117/12.500986
  17. T. Igarashi, M. Ihara, T. Kusunoki, K. Ohno, T. Isobe, and M. Senna, Appl. Phys. Lett., 76, No. 12: 1549 (2000); https://doi.org/10.1063/1.1260921
  18. O. M. Bordun, I. M. Bordun, and S. S. Novosad, J. Appl. Spectr., 62, No. 6: 1060 (1995); https://doi.org/10.1007/BF02606760
  19. K. Wasa, M. Kitabatake, and H. Adachi, Thin Film Materials Technology: — Sputtering of Compound Materials (New York: Springer–William Andrew Inc Publishing: 2004).
  20. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. J. Kukharskyy, I. I. Medvid, O. Ya. Mylyo, M. V. Partyka, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 17, Iss. 1: 123 (2019); https://doi.org/10.15407/nnn.17.01.123
  21. C. V. Thompson, Sol. State Phys., 55: 269 (2001); https://doi.org/10.1016/S0081-1947(01)80006-0
  22. C. V. Thompson, J. Appl. Phys., 58: 763 (1985); https://doi.org/10.1063/1.336194
  23. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. I. Polovynko, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 19, Iss. 1: 159 (2021); https://doi.org/10.15407/nnn.19.01.159
  24. J. E. Palmer, C. V. Thompson, and Henry L. Smith, J. Appl. Phys., 62, No. 6: 2492 (1987); https://dx.doi.org/10.1063/1.339460
  25. O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. M. Kofliuk, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 20, Iss. 1: 91 (2021); https://doi.org/10.15407/nnn.20.01.091
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2024 НАНОСИСТЕМИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної Академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача