Випуски

 / 

2023

 / 

том 21 / 

випуск 2

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

O. M. Bordun, V. G. Bihday, І. Yo. Kukharskyy, І. І. Medvid1, І. М. Kofliuk, I. Yu. Khomyshyn, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov
Surface Morphology of Thin ZnGa2O4 Films Obtained by Different Methods
0403–0411 (2023)

PACS numbers: 61.46.Hk, 61.72.Ff, 61.72.Mm, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55.J-, 81.15.Cd

Методом дискретного термічного випаровування та високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення одержано тонкі плівки ZnGa2O4. Дослідження морфології поверхні одержаних плівок методом атомно-силової мікроскопії (АСМ) показали, що з переходом від дискретного термічного випаровування до ВЧ-розпорошення відбувається зростання розмірів середніх діяметрів зерен у два рази та висот зерен у понад три рази. Встановлено, що розподіл зерен за величиною їхніх діяметрів є багатомодальним і має декілька центрів, які в обох методах одержання співвідносяться як малі цілі числа. Це свідчить про зростання малих зерен між собою з утворенням великих зерен.

Keywords: ґалат Цинку, тонкі плівки, нанокристаліти.


References
  1. L. Zou, X. Xiang, M. Wei, F. Li, and D. G. Evans, Inorg. Chem., 47, No. 4: 1361 (2008); https://doi.org/10.1021/ic7012528
  2. W. Zhang, J. Zhang, Yu. Li, Z. Chen, and T. Wang, Appl. Surf. Sci., 256, No. 14: 4702 (2010); https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.02.077
  3. J. S. Kim, J. S. Kim, T. W. Kim, H. L. Park, Yo. G. Kim, S. K. Chang, and S. D. Han, Solid State Commun., 131, No. 8: 493 (2004); https://doi.org/10.1016/j.ssc.2004.06.023
  4. O. M. Bordun, V. G. Bihday, and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc., 80, No. 5: 721 (2013); https://doi.org/10.1007/s10812-013-9832-2
  5. M. Orita, M. Takeuchi, H. Sakai, and H. Tanji, Jpn. J. Appl. Phys., 34, No. 11B: L1550 (1995); https://doi.org/10.7567/JJAP.34.L1550
  6. Ph. D. Rack, J. J. Peterson, M. D. Potter, and W. Park, J. Mater. Res., 16, No. 5: 1429 (2001); https://doi.org/10.1557/JMR.2001.0199
  7. P. Dhak, U. K. Gayen, S. Mishra, P. Pramanik, and A. Roy, J. Appl. Phys., 106, No. 6: 063721 (2009); https://doi.org/10.1063/1.3224866
  8. O. M. Bordun, I. I. Kukharskii, T. M. Yaremchuk, and S. I. Gaidai, J. Appl. Spectosc., 71, No. 3: 382 (2004); https://doi.org/10.1023/B:JAPS.0000039965.10766.c8
  9. Z. Chi, T. Tchelidze, C. Sartel, T. Gamsakhurdashvili, I. Madaci, H. Yamano, V. Sallet, Y. Dumont, A. Perez-Tomas, F. Medjdoub, and E. Chikoidze, J. Phys. D: Appl. Phys., 56: 105102 (2023); https://doi.org/10.1088/1361-6463/acbb14
  10. A. K. Singh, Ch.-Ch. Yen, and D.-S. Wuu, Results in Physics, 33: 105206 (2022); https://doi.org/10.1016/j.rinp.2022.105206
  11. O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and V. G. Bihday, J. Appl. Spectrosc., 78, No. 6: 922 (2012); https://doi.org/10.1007/s10812-012-9555-9
  12. V. Bondar, L. Akselrud, M. Vasyliv, M. Grytsiv, Yu. Dubov, S. Popovich, V. Davydov, I. Kucharsky, and N. Lutsyk, Functional Materials, 6, No. 3: 510 (1999).
  13. B. A. Movchan and A. V. Demchychyn, Fiz. Met. Metalloved., 28, No. 4: 654 (1969) (in Russian).
  14. I. Heyvaert, J. Krim, C. Van Haesendonck, and Y. Bruynseraede, Phys. Rev. E, 54, No. 1: 349 (1996); https://doi.org/10.1103/PhysRevE.54.349
  15. K. L. Ekinci and J. M. Valles, Acta Mater., 46, No. 13: 4549 (1998); https://doi.org/10.1016/S1359-6454(98)00145-1
  16. J. G. Amar, Phys. Rev. B, 54, No. 20: 14742 (1996); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.54.14742
  17. R. W. Smith and D. J. Srolovitz, J. Appl. Phys., 79, No. 3: 1448 (1996); https://doi.org/10.1063/1.360983
  18. B. S. Bunnik, C. de Hoog, E. F. C. Haddeman, and B. J. Thijsse, Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B, 187, No. 1: 57 (2002); https://doi.org/10.1016/S0168-583X(01)00849-7
  19. V. E. Yurasova and V. A. Eltekov, Vacuum, 32, No. 7: 399 (1982); https://doi.org/10.1016/0042-207X(82)94064-7
  20. B. S. Danilin, Primenenie Nizkotemperaturnoy Plazmy Dlya Naneseniya Tonkikh Plyonok [The Use of Low-Temperature Plasma for the Deposition of Thin Films] (Moskva: Ehnergoatomizdat: 1989) (in Russian).
  21. C. V. Thompson, Solid State Physics (Eds. H. Ehrenreich and F. Spaepen) (Academic Press: 2001).
  22. C. V. Thompson, J. Appl. Phys., 58, No. 2: 763 (1985); https://doi.org/10.1063/1.336194
  23. O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. M. Kofliuk, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 20, Iss. 1: 91 (2022); https://doi.org/10.15407/nnn.20.01.091
.

Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2023 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача