збірник наукових праць наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2022, том 20, випуск 3
English Українська
Отримати статтю →
Том рік сторінка
Випуски Автори PACS Передплатникам Для авторів
Пошук →
Розширений пошук

Випуски

 / 

2022

 / 

том 20 / 

випуск 3

 


Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

V. V. Kidalov, V. P. Kladko, A. F. Dyadenchuk, O. I. Gudymenko, V. A. Baturin, A. Yu. Karpenko, and V. V. Kidalov
ZnO/SiC/Porous-Si/Si Heterostructure: Obtaining and Properties
0647–0655 (2022)

PACS numbers: 61.05.cp, 61.43.Gt, 68.37.-d, 68.65.-k, 77.55.hf, 78.67.Rb, 81.05.Rm

У роботі продемонстровано синтезу плівок оксиду Цинку ZnO методом ВЧ-магнетронного розпорошення цинкової мішені на кремнійовій підкладинці з використанням буферних шарів SiC та поруватого Si. Синтеза складалася з трьох етапів: одержання мезопоруватої поверхні Si(111) електрохемічним щавленням, нанесення плівок SiC на поруваті кремнійові підкладинки методом заміщення та синтези плівок ZnO за допомогою високочастотного магнетронного напорошення. Товщина плівки оксиду Цинку становила ≅ 1 мкм. Мікроскопічний розріз плівки ZnO демонструє її стовпчасту мікроструктуру. Плівки мають форму щільно пакованих (аґломерованих) нанозерен (розміром у 100–150 нм). За результатами рентґенофазових мірянь плівки ZnO орієнтовані уздовж основного напрямку текстури [0001]. Вивчення властивостей поверхні утвореної структури свідчить про полікристалічний характер покриття з гексагональною ґратницею типу вюрциту. Довжина области когерентности, визначена за Шерреровою формулою, становить 11,8 нм.

Keywords: високочастотне магнетронне розпорошення, плівка ZnO, буферний шар, плівка SiC, мезопористий Si.


References
  1. A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys., 72, No. 12: 126501 (2009); https://doi.org/10.1088/0034-4885/72/12/126501
  2. A. B. Djurisic, A. M. C. Ng, and X. Y. Chen, Prog. Quantum Electron., 34, No. 4: 191 (2010); https://doi.org/10.1016/j.pquantelec.2010.04.001
  3. L. Ci-Hui, C. Yu-Lin, L. Bi-Xia, Z. Jun-Jie, F. Zhu-Xi, P. Cong, and Y. Zhen, Chinese Phys. Lett., 18, No. 8: 1108 (2001); https://doi.org/10.1088/0256-307X/18/8/338
  4. D. Das and L. Karmakar, J. Alloys Compd., 824: 153902 (2020); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.153902
  5. L. Chabane, N. Zebbar, M. Trari, Y. H. Seba, and M. Kechouane, Mater. Sci. Semicond. Process., 13: 105971 (2021); https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105971
  6. C. Xiong, L. Chen, W. Du, J. Ma, J. Xiao, and X. Zhu, Int. J. Mod. Phys. B, 31, Nos. 16–19: 1744076 (2017); https://doi.org/10.1142/S0217979217440763
  7. M. Kolhep, C. Sun, J. Blasing, B. Christian, and M. Zacharias, J. Vac. Sci. Technol. A, 39, No. 3: 032401 (2021); https://doi.org/10.1116/6.0000793
  8. S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, A. I. Pechnikov, and N. A. Feoktistov, Phys. Solid State, 58, No. 9: 1876 (2016); https://doi.org/10.1134/S1063783416090201
  9. S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, and A. I. Romanychev, Phys. Solid State, 58, No. 7: 1448 (2016); https://doi.org/10.1134/S1063783416070246
  10. T. Phan and G. S. Chung, Trans. Electr. Electron. Mater., 12, No. 3: 102 (2011); https://doi.org/10.4313/TEEM.2011.12.3.102
  11. A. F. Dyadenchuk and V. V. Kidalov, Оtrymannya Poruvatykh Napivprovidnykiv Metodom Ehlektrokhimichnogo Travlennya [Obtaining Porous Semiconductors by Electrochemical Etching] (Berdyansk: BSPU: 2017) (in Ukrainian).
  12. S. A. Kukushkin and A. V. Osipov, J. Appl. Phys., 113, No. 2, 024909 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4773343
  13. S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, and N. A. Feoktistov, Phys. Solid State, 56, No. 8: 1507 (2014); https://doi.org/10.1134/S1063783414080137
  14. S. A. Kukushkin and A. V. Osipov, Phys. B: Condens. Matter, 512: 26 (2017); https://doi.org/10.1016/j.physb.2017.02.018
  15. V. V. Kidalov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, I. P. Soshnikov, M. E. Boiko, M. D. Sharkov, and A. F. Dyadenchuk, Mater. Phys. Mech., 36: 39 (2018); https://doi.org/10.18720/MPM.3612018_4
  16. V. Kidalov, A. Dyadenchuk, Y. Bacherikov, A. Zhuk, T. Gorbaniuk, I. Rogozin, and V. Kidalov, Turk. J. Phys., 44, No. 1: 57 (2020); https://doi.org/10.3906/fiz-1909-10
  17. V. V. Kidalov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, I. P. Soshnikov, and A. F. Dyadenchuk, ECS J. Solid State Sci. Technol., 7, No. 4: 158 (2018); https://doi.org/0.1149/2.0061804jss
  18. B. Abdullah and D. Tahir, J. Phys. Conf. Ser., 1317, No. 1: 012052 (2019); https://doi.org/10.1088/1742-6596/1317/1/012052
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2022 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача