 |
|||||||||
 |
2021, том 19, выпуск 4 |
|
|||||||
|
|||||||||
Выпуски/2021/том 19 /выпуск 4 |
М. М. Солован, Г. М. Ямрозик, А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар’янчук
«Фоточутливі діоди Шотткі графіт/n-Si, виготовлені методом електронно-променевого випаровування
»
0823–0830 (2021)
PACS numbers: 72.80.Ey, 73.20.Hb, 73.40.Kp, 73.40.Lq, 81.15.Jj, 85.60.Bt, 85.60.Dw
Вперше виготовлено фоточутливі діоди Шотткі графіт/n-Si шляхом електронно-променевого випаровування графіту на підкладинки з Si n-типу провідности. Показано, що створені фоточутливі діоди Шотткі графіт/n-Si мають висоту потенціяльного бар’єру у 0,46 еВ і такі фото-електричні параметри: напруга холостого ходу Voc = 0,33 В, струм короткого замикання Isc = 0,38 мА, коефіцієнт заповнення FF = 0,35 за освітлення у 80 мВт/см2. Їхні чутливість до електромагнетного випромінення та чутливість щодо виявлення знаходяться на рівні світових аналогів; тому такі діоди Шотткі можуть бути успішно використані для виготовлення фотоприймачів.
залізний нанодріт, намагнетованість, доменна стінка, тепломісткість, ентропія
References
1. Z. I. Alferov, Semiconductors, 32: 1 (1998); https://doi.org/10.1134/1.1187350
2. C. Xie, Y. Wang, Z. X. Zhang, D. Wang, and L. B. Luo, Nano Today, 19: 41 (2018); https://doi.org/10.1016/j.nantod.2018.02.009
3. R. K. Arun, V. Gupta, P. Singh, G. Biswas, and N. Chanda, Chemistry Select, 4: 152 (2019); https://doi.org/10.1002/slct.201802960
4. N. Kurra and G. U. Kularni, Lab on a Chip, 13: 2866 (2013); https://doi.org/10.1039/C3LC50406A
5. Y. Wang and H. Zhou, Energy Environ. Sci., 4: 1704 (2011); https://doi.org/10.1039/C0EE00759E
6. V. V. Brus and P. D. Maryanchuk, Carbon, 78: 613 (2014); https://doi.org/10.1016/j.carbon.2014.07.021
7. M. M. Solovan, H. M. Yamrozyk, V. V. Brus, and P. D. Maryanchuk, East Eur. J. Phys., 4: 154 (2020); https://doi.org/10.26565/10.26565/2312-4334-2020-4-19
8. V. V. Brus et al., Nanotechnology, 31: 505706 (2020); https://doi.org/10.1088/1361-6528/abce55
9. M. N. Solovan, G. O. Andrushchak, A. I. Mostovyi, T. T. Kovaliuk, V. V. Brus, and P. D. Maryanchuk, Semiconductors, 52: 236 (2018); https://doi.org/10.1134/S1063782618020185
10. M. M. Solovan, H. P. Parkhomenko, and P. D. Marianchuk, Journal of Physical Studies, 23: 4801 (2019); https://doi.org/10.30970/jps.23.4801
11. V. V. Brus, P. D. Maryanchuk, M. I. Ilashchuk, J. Rappich, I. S. Babiychuk, and Z. D. Kovalyuk, Solar Energy, 112: 78 (2015); https://doi.org/10.1016/j.solener.2014.11.023
12. V. V. Brus and P. D. Maryanchuk, Appl. Phys. Lett., 104: 173501 (2014); https://doi.org/10.1063/1.4872467
13. B. L. Sharma and R. K. Purohit, Semiconductor Heterojunctions (Oxford–New York: Pergamon Press: 1974).
14. X. Zhang, D. Hu, Z. Tang, and D. Ma, Applied Surface Science, 357: 1939 (2015); https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.09.146
15. P. Long, S. Varadaraajan, J. Matthews, and J. F. Schetzina, Optoelectronics Review, 10: 251 (2002).
 Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна ©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины. Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача |