 |
|||||||||
 |
2021, том 19, выпуск 1 |
|
|||||||
|
|||||||||
Выпуски/2021/том 19 /выпуск 1 |
O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. I. Polovynko, Zh. Ya. Tsapovska, D. S. Leonov
«Surface Morphology of Thin β-Ga\(_2\)O\(_3\) Films Obtained by Radio-Frequency Sputtering»
0159–0165 (2021)
PACS numbers: 61.72.Mm, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55. J-, 81.07.-b, 81.15.Cd, 81.40.Tv
Методою високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення одержано тонкі плівки β-Ga\(_2\)O\(_3\), які формуються з нанокристалічних зерен. Дослідження морфології поверхні тонких плівок методою атомно-силової мікроскопії (АСМ) показали, що при проведенні термооброблення зростає середній розмір нанокристалічних зерен, які формують плівки. На основі аналізи результатів розподілу розмірів діяметрів зерен встановлено, що, незалежно від здійснення термооброблення, в тонких плівках β-Ga\(_2\)O\(_3\) спостерігається тримодальний розподіл, який формується у процесі нанесення плівок. Здійснення термооброблення не змінює форму даного розподілу і приводить до рівномірного зростання розмірів зерен вздовж всього розподілу.
Keywords: gallium oxide, thin films, nanocrystallites, trimodal distribution
References
1. K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura,M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 88, No. 9: 092106 (2006).2. N. D. Cuong, Y. W. Park, and S. G. Yoon, Sensors and Actuators B: Chemi-cal, 140, No. 1: 240 (2009).
3. M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 77, No. 6:4166 (2000).
4. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. S. Zvizlo,and D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 17, No. 3:483 (2019); https://doi.org/10.15407/nnn.17.03.483
5. J.-G. Zhao, Zh.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, and E.-Q. Xie,Chinese Phys. Lett., 25, No. 10: 3787 (2008).
6. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and I. I. Medvid, J. Appl.Specrosc., 84, No. 1: 46 (2017).
7. P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, and J. F. Muth, Ma-ter. Sci. Eng. B, 146, Nos. 1–3: 252 (2008).
8. T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, and T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys., 39,No. 6A: L524 (2000).
9. E. V. Berlin and L. A. Seydman, Ionno-Plazmennyie Protsessy vTonkoplenochnoy Tekhnologii [Ion-Plasma Processes in Thin-Film Technolo-gy] (Moscow: Tekhnosfera: 2010) (in Russian).
10. O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, and V. B. Lushchanets,J. Appl. Spectrosc., 81, No. 5: 771 (2014).
11. C. V. Thompson, Sol. State Phys., 55: 270 (2001).
12. C. V. Thompson, J. Appl. Phys., 58: 763 (1985).
 Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна ©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины. Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача |