Выпуски

 / 

2021

 / 

том 19 / 

выпуск 1

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

B. Zaidi, C. Shekhar, S. Gagui, K. Kamli, Z. Hadef, B. Hadjoudja, B. Chouial
«Annealing and Hydrogenation Effects on the Electrical Properties of Polysilicon Thin Films»
0133–0138 (2021)

PACS numbers: 68.55.Ln, 73.50.Gr, 73.61.Cw, 73.63.Bd, 81.07.Bc, 81.40.Rs, 81.65.Rv

Електричні параметри мікроелектронних пристроїв обмежені наявністю меж зерен, в тому числі обірваних зв'язків, які можуть представляти стани з пастками для неосновних носіїв заряду. Підвищення фотоелектричної ефективности вимагає хорошого розуміння явища тверднення, яке варіюється в залежності від температури. У даній роботі ми вивчаємо вплив температури відпалу і гідрування на електропровідність і питомий опір. Зміни питомого опору як функції термічних оброблень показують, що їхній загальний внесок стає важливим при підвищенні температури, перш ніж стати домінувальним. Аналіза за індукованим струмом показує ефект рекомбінантних меж зерен та електричної активности.

Keywords: polysilicon, electrical conductivity, trap states, grain boundaries


References
1. B. Zaidi, S. Belghit, C. Shekhar, B. Hadjoudja, and B. Chouial, Nanosistemi,Nanomateriali, Nanotehnologii, 16, No. 4: 713 (2018); https://doi.org/10.15407/nnn.16.04.713
2. S. Kumar and A. Dvivedi, Materials Science in Semiconductor Processing,1021: 504584 (2019).
3. B. Zaidi, I. Saouane, and C. Shekhar, Silicon, 10: 975 (2018).
4. O. Tuzun Ozmen, M. Karaman, S. H. Sedani, H. M. Sagban, and R. Turan,Thin Solid Films, 6891: 5137451 (2019).
5. R. Deng, N. L. Chang, Z. Ouyang, and C. M. Chong, Renewable and Sus-tainable Energy Reviews, 109: 532 (2019).
6. H. Movla, Optik, 125: 67 (2014).
7. H. Zhang, K. Nakada, and M. Konaga, Thin Solid Films, 628: 214 (2017).
8. R. Mahamdi, F. Mansour, E. Scheid, B. T. Boyer, and L. Jalabert, JapaneseJournal of Applied Physics, 40: 6723 (2001).
9. Y. Xi, X. Wang, and C. Lang, Surf Eng., 31: 770 (2015).
10. V. G. Dyskin and M. U. Dzhanklych, Applied Solar Energy, 51: 83 (2015).
11. G. Masetti, M. Severi, and S. Solmi, IEEE Trans. Elec. Dev., ED30: 764(1983).
12. T. Sameshima, H. Hayasaka, M. Maki, A. Masuda, T. Matsui, andM. Kondo, Japanese Journal of Applied Physics, 46: 1286 (2007).
13. M. Mekhalfa, B. Zaidi, B. Hadjoudja, B. Chouial, and A. Chibani, SurfaceEngineering, 36: 27 (2020).
14. B. Ai, H. Shen, Z. Liang, Z. Chen, G. Kong, and X. Liao, Thin Solid Films,497: 157 (2006).
15. C. H. Seager, D. J. Sharp, and J. K. G. Panitz, J. Vac. Sci. Technol., 20: 430(1982).
16. B. Zaidi, B. Hadjoudja, B. Chouial, K. Kamli, A. Chibani, and C. Shekhar,Silicon, 10: 2161 (2018).
17. N. Lifshitz, J. Elec. Soc., 130: 2464 (1983).
18. B. Zaidi, C. Shekhar, B. Hadjoudja, B. Chouial, R. Li, M. V. Madhava Rao,S. Gagui, and A. Chibani, Silicon, 8: 513 (2016).
19. S. Honda, T. Mates, M. Ledinsky, J. Oswald, A. Fejfar, J. Kocka, T. Yama-zaki, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, Thin Solid Films, 487: 152 (2005).
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача