Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

T. Tkachenko, V. Yevdokymenko, D. Kamenskyh, V. Povazhny, M. Filonenko, V. Kremenetskii, V. Vakhrin, V. Kashkovsky
«Influence of SiC Production Temperature on Its Physicochemical Characteristics»
669–679 (2020)

PACS numbers: 61.05.cp, 61.43.Gt, 68.37.Hk, 68.70.+w, 78.30.-j, 81.07.Wx, 82.80.Pv

Карбід кремнію завдяки своїм унікальним фізико-хемічним властивостям (термо- та хемічній стійкості, стійкості до окиснення та корозії, високій твердості, радіяційній стійкості) застосовується для виготовлення безкисневої кераміки, напівпровідників, діодів Шотткі, УФ-датчиків, покриття корпусів космічних кораблів і при виготовленні стінок термоядерних реакторів. Залежно від способу й умов одержання деякі властивості карбіду кремнію змінюються. У цій роботі вирощували SiC як у вигляді частинок, так і віскерів шляхом прямої карботермальної синтези із часом контакту в 1 год. при 1400–1900\(^{\circ}\)C. Вплив умов процесу на фазовий склад і морфологію зразків досліджували з використанням, відповідно, рентґенофлюоресцентної аналізи, РФА, інфрачервоної спектральної аналізи Фур’є із перетворенням і СЕМ–EДА. Результати РФА показали, що кінцевий продукт був ідентифікований як \(\beta\)-SiC, що має параметер ґратниці a=4,3365–4.3575 Å, що узгоджується з літературним значенням 4,3589 Å. Товщина віскерів SiC збільшувалася зі зростання температури. Одержані результати також показали, що характеристики синтезованих частинок SiC сильно залежать від умов термічного оброблення.

Keywords: silicon carbide, carbothermal reduction, silicon dioxide, whiskers, heat treatment conditions