Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Р. Я. Кудрик
«Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN»
0449–0457 (2015)

PACS numbers: 71.55.Ak, 73.30.+y, 73.61.Jc, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls, 85.40.Xx

Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ??4?1017 см?3 на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al2O3. Проведено дослідження температурної залежности ВАХ в межах 80–600 К. Струмоперенесення в інтервалі температур 80–340 К здійснюється за тунельним механізмом. В області температур 420–600 К домінувальним є термоелектронний механізм струмоперенесення. В області 340–420 К обидва механізми струмоперенесення переважають на різних ділянках ВАХ. Висота бар’єру, визначена з ВФХ, добре узгоджується з висотою бар’єру, визначеною екстраполяцією до n???1 температурної залежности ефективної висоти бар’єру, одержаної з ВАХ, і складає 1 еВ. Спостережуваний тунельний механізм струмоперенесення може бути пов’язаним з шунтувальними дислокаціями, котрі перетинають область просторового заряду. Оцінка густини дислокацій, зроблена на основі даного припущення, добре узгоджується з даними рентґенодифракційних досліджень таких плівок.