Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

S. E. Bogdanov, G. Beddies, M. Daniel and Yu. N. Makogon
«Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation»
0295–0302 (2013)

PACS numbers: 66.30.Pa, 68.55.-a, 73.61.At, 81.15.Cd, 81.15.Jj, 81.40.Rs, 85.40.-e

Розглянуто дві методи формування стабільної фази TiSi2(C54). Вивчено формування структури нанорозмірних плівок TiSi2(C54) на монокристалічному кремнії. Показано, що формування TiSi2(C54) відбувається швидше (??55 с) за допомогою низькоенергетичної термоіонного осадження (НТІО) Ti на монокристалічний Si, аніж магнетронним напорошенням із подальшим відпалом (150 с і більше). Встановлено, що величина електричного опору для нанорозмірної плівки TiSi2(C54), одержаної за допомогою НТІО, складає ?v???13,5 ?Ом?cм, а при магнетронному напорошенні та подальшому відпалі — ?v???24 ?Ом?cм. Запропоновано феноменологічну модель для формування дісиліциду титану на монокристалічному кремнії при НТІО титану.