Випуски

 / 

2012

 / 

том 10 / 

випуск 3

 



Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

В. А. Татаренко, П. О. Селищев, О. В. Олійник, Й. Б. Парк
«Фізична кінетика еволюції наномасштабної дисипативної структури вакансійної підсистеми в ГЦК-кристалах в умовах флюктуацій швидкости ґенерації точкових дефектів під опроміненням: стохастичний модель»
0629–0666 (2012)

PACS numbers: 05.65.+b, 61.50.Lt, 61.72.Bb, 61.72.jd, 61.72.Qq, 61.80.Az, 82.40.Ck

Розглянуто кінетичний модель впливу зовнішнього шуму, зокрема, флюктуацій швидкости ґенерації точкових дефектів і неоднорідности густини опроміненого ГЦК-кристалу на утворення дисипативної модульованої структури в просторовому розподілі вакансій. Швидкість ґенерації точкових дефектів типу вакансій по вузлах і густина їхніх стоків типу дислокацій уважалися як незалежними випадковими стаціонарними однорідними полями, так і з певними параметрами кореляцій флюктуацій — просторової та часової. Такі стохастичні поля можуть спричиняти просторовий перерозподіл вакансій, який призводить до стаціонарного однорідного чи то стохастичного поля їхньої густини. За її середнім значенням і кореляційними функціями зазначених флюктуацій встановлено умови, за яких в результаті взаємодії між флюктуаціями густини вакансій це однорідне випадкове поле стає нестійким по відношенню до стохастичного поля з просторово-періодичним середнім розподілом густини вакансій. На прикладі ГЦК-ніклю чисельно передбачено та проаналізовано температурні залежності просторових періодів дисипативної модульованої структури вакансійної підсистеми у ГЦК-кристалі для зазначених випадків із врахуванням сумарної («електрохемічної» + «деформаційної») взаємодії між вакансіями. Цей геометричний параметер такої структури визначається також кінетичними характеристиками перерозподілу вакансій.

©2003—2021 наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції про збірник Угода користувача