Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

C. П. Репецкий, А. Г. Наконечный, Б. В. Стащук
«Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями »
0963–0985 (2009)

PACS numbers: 71.10.Fd, 71.20.Be, 71.27.+a, 72.10.Bg, 72.15.Qm, 72.25.Ba, 75.10.-b

Одержано вираз для двочастинкової Ґрінової функції (електропровідности) магнетних кристалів із сильними електронними кореляціями. Враховуються процеси розсіяння електронів на флюктуаціях спінової й електронної густин. Електронні стани описуються в рамках багатозонного моделю сильного зв’язку. Розрахунки базуються на діяграмній техніці для температурних Ґрінових функцій. Одержано кластерне розвинення для двочастинкової Ґрінової функції. За нульове одновузельне наближення в кластерному розвиненні обирається наближення когерентного потенціялу. Показано, що внески процесів розсіяння електронів на кластерах зменшуються зі збільшенням числа вузлів у кластері за деяким малим параметром. На прикладі кристала заліза досліджено умови виникнення спін-залежного транспорту в системах із сильними електронними кореляціями.