Випуски

 / 

2009

 / 

том 7 / 

випуск 4

 



Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

В. Є. Шатернік, С. Ю. Ларкін, І. В. Бойло, А. П. Шаповалов
«Джозефсонів критичний струм в Nb/Al–AlOx–Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії »
0951–0961 (2009)

PACS numbers: 73.40.Rw, 74.25.Sv, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.78.Na, 74.81.Fa, 85.25.Cp

Дану роботу спрямовано на пошук прийнятної технології виготовлення придатних до практичних використань Джозефсонових переходів, які б переходили зі стану із зовнішнім шунтуванням до стану із внутрішнім шунтуванням при зміні зовнішніх параметрів, а також були б здатні працювати за температур, створюваних рефрижераторами із замкненим цикльом. Виконані експериментальні та теоретичні дослідження Джозефсонового ефекту в тонкоплівкових S/N–I–S-переходах, що мають дві надпровідні ніобійові електроди (S), нанометровий алюмінійовий прошарок (N) та тунельний бар’єр з оксиду алюмінію AlOx (I). Продемонстровано, що мініщілина, яка утворилася в електронному спектрі шару нормального металу Al, що знаходиться в контакті із надпровідником Nb, визначає температурну залежність критичного надпровідного струму в S/N–I–S-переходах. На базі цього спостереження запропоновано методу керування дисипацією енергії в Джозефсоновому переході шляхом зміни його температури.

©2003—2021 наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції про збірник Угода користувача