Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Д. С. Орлова, Е. И. Рогачева
«Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром »
0487–0493 (2009)

PACS numbers: 72.20.My, 73.43.Qt, 73.50.Jt, 73.61.At, 73.63.Bd, 81.07.Bc, 81.15.Ef

Встановлено, що, використовуючи методу термічного випаровування у вакуумі кристалів бисмуту, леґованих телюром, на підложжя з лосняку, можна не тільки реалізувати донорну дію телюру в тонкоплівковому стані, але й здійснити глибше леґування бисмуту, аніж в об’ємному кристалі. Показано, що рухливість носіїв заряду (електронів) у плівках зменшується в порівнянні з об’ємним кристалом, що пов’язане як із зростанням концентрації електронів, так і зі збільшенням внеску поверхневого розсіяння у тонкоплівковому стані. На основі аналізи магнетопольових залежностей Голлового коефіцієнта і магнетоопору встановлено, що для плівок Bi, який леґований Te, і для кристалів Bi із вмістом 0,5 ат.% Te у інтервалі значень магнетної індукції 0,1–1,0 Тл магнетне поле можна вважати слабким. Одержані результати можуть бути використані при виготовленні низькорозмірних структур на основі бисмуту з контрольованою концентрацією електронів.