Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

B. K. Ostafiychuk, I. M. Budzulyak, V. I. Mandzyuk, and R. P. Lisovskyy
«Electrochemical Characteristics of Capacitor Systems Formed on Chemical Modified Carbon Basis »
0371–0381 (2009)

PACS numbers: 81.16.Be, 82.45.Aa, 82.45.Yz, 82.47.Uv, 82.80.Fk, 84.32.Tt, 84.60.Ve

З’ясовано вплив хемічної модифікації активованого вуглецевого (АВ) матеріялу на його питому місткість з використанням метод імпедансної спектроскопії, циклічної вольтамперометрії та хроноамперометрії. Показано, що загальна місткість є сумою двох складових — місткости подвійного електричного шару (ПЕШ) та псевдомісткости, причому, внесок останньої є незначним (8–14%). Леґування рідкісноземельними металами та їх сполуками призводить до підвищення питомої місткости АВ. Ймовірно, основною причиною такого зростання є трансформація валентної зони вуглецевого матеріялу за рахунок привнесення додаткових електронних станів від втілених матеріялів, в результаті чого значно більша кількість йонів (насамперед, позитивних) буде приймати участь у формуванні ПЕШ, а отже, й зумовлювати ріст питомої місткости.