Fabrication of Cadmium Selenide (CdSe)–Porous Silicon (PSi) Solar Cell
667–675 (2025)
PACS numbers: 68.37.Hk, 68.37.Vj, 78.67.Rb, 81.16.Be, 81.65.Cf, 88.40.hj, 88.40.jp
Received 3 April, 2024; in revised form, 3 June, 2024
Для приготування тонких плівок CdSe на пористих кремнійових пластинах p-типу за кімнатної температури використано метод хемічного осадження у ванні. Пористі кремнійові підкладинки виготовлено методом електрохемічного щавлення з часом щавлення у 5 і 15 хв. Енергетична заборонена зона для тонкої плівки CdSe становила 2,6 еВ. Зображення, одержані за допомогою сканівного електронного мікроскопа, та рентґенівський спектер демонструють, що плівки на переході PSi–CdSe були кристалічними з невеликою присутністю аморфної фази, а розмір зерен сполуки CdSe ≈ 38–41 нм. На переході показано вольт-амперні характеристики, подібні до характеристик ідеальних діод і сонячних елементів.
КЛЮЧОВІ СЛОВА: пористий кремній, тонкі плівки CdSe, характеристики сонячних елементів, характеристики діод
ЛІТЕРАТУРА
- Diksha Garg, Kandi Sridhar, Baskaran Stephen Inbaraj, Prince Chawla, Manikant Tripathi, and Minaxi Sharma, Bioengineering, 10, Iss. 9: 1010 (2023); https://doi.org/10.3390/bioengineering10091010
- M. Dhanam, R. R. Prabhu, and P. K. Manoj, Materials Chemistry and Physics, 107, Iss. 2–3: 289 (2008); https://doi.org/10.12785/ijtfst/030205
- S. K. Shinde, D. P. Dubal, G. S. Ghodake, and V. J. Fulari, Materials Letters, 126: 17 (2014); https://doi.org/10.1016/j.matlet.2014.06.099
- R. Yu, Q. Lin, S. F. Leung, and Z. Fan, Nano Energy, 1, No. 1: 57 (2012); https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/21/215103
- Himanshu, Kamlesh, D. Suthar, and M. S. Dhaka, Solid State Communications, 371: 115264 (2023); https://doi.org/10.1016/j.ssc.2023.115264
- S. Velumani, X. Mathew, and P. J. Sebastian, Solar Energy Materials and Solar Cells, 76, Iss. 3: 359 (2003); https://doi.org/10.1016/S0927-0248(02)00288-X
- Payal Chauhan, Alkesh B. Patel, Som Narayan, Jyoti Prasad, C. K. Sumesh, G. K. Solanki, K. D. Patel, Saurabh S. Soni, P. K. Jha, V. M. Pathak, and Vikas Patel, Journal of Alloys and Compounds, 862: 158016 (2021); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.158016
- M. A. Hernandez-Perez, J. Aguilar-Hernandez, G. Contreras-Puente, J. R. Vargas-Garcia, and E. Rangel-Salinas, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 40, Iss. 7: 2535 (2008); https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.10.102
- Kriti Sharma, Alaa S. Al-Kabbi, G. S. S. Saini, and S. K. Tripathi, Materials Research Bulletin, 47, Iss. 6: 1400 (2012); https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2012.03.008
- S. S. Kale and C. D. Lokhande, Materials Chemistry and Physics, 62, Iss. 2: 103 (2000); https://doi.org/10.1016/S0254-0584(99)00139-X
- P. P. Hankare, V. M. Bhuse, K. M. Garadkar, S. D. Delekar, and I. S. Mulla, Semiconductor Science and Technology, 19, Iss. 1: 70 (2003); https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/1/012
- T. Elango, V. Subramanian, and K. R. Murali, Surface and Coatings Technology, 123, Iss. 1: 8 (2000); https://doi.org/10.1016/S0257-8972(99)00163-2
- A. A. Yadav, M. A. Barote, and E. U. Masumdar, Materials Chemistry and Physics, 121, Nos. 1–2: 53 (2010); https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2009.12.039
- S. J. Lade, M. D. Uplane, and C. D. Lokhande, Materials Chemistry and Physics, 68, Nos. 1–3: 36 (2001); https://doi.org/10.1016/S0254-0584(00)00280-7
- Boaz Alperson, Helene Demange, Israel Rubinstein, and Gary Hodes, The Journal of Physical Chemistry B, 103, Iss. 24: 4943 (1999); https://doi.org/10.1021/jp983368f
- A. K. Ayal, Z. Zainal, H. N. Lim, Z. A. Talib, Y. C. Lim, S. K. Chang, and W. N. M. Amin, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 27: 5204 (2016); https://doi.org/10.1007/s10854-016-4414-8