Завантажити повну
версію статті (у форматі PDF)
O.M. BORDUN, I.I. MEDVID, I.Yo. KUKHARSKYY, V.G. BIHDAY, I.O. BORDUN, I.M. KOFLIUK, Zh.Ya. TSAPOVSKA, and D.S. LEONOV
Light Dispersion in Thin Films of ZnGa2O4:Cr3+ and ZnGa2O4:Mn2+ Obtained by RF Ion-Plasma Sputtering
101–108 (2025)
PACS numbers: 61.72.Ff, 61.72.Mm, 68.37.Ps, 68.55.J-, 78.20.Ci, 78.66.Li, 81.15.Cd
Методом високочастотного (ВЧ) йонно-плазмового розпорошення в атмосфері арґону одержано тонкі плівки ZnGa2O4:Cr3+ і ZnGa2O4:Mn2+. Методом АСМ проведено дослідження морфології поверхні та проаналізовано розміри нанокристалітів, які формують одержані плівки. На основі інтерференційної методики проведено визначення величини показника заломлення та встановлено, що в плівках обох типів у видимій області спостерігається нормальна дисперсія показника заломлення. Проведено аналізу одноосциляторного трипараметричного моделю, котрого було використано для опису дисперсійної залежности, та визначено статичний показник заломлення n0, характеристичну енергію E0, параметер апроксимації A й енергію плазмових коливань для валентних електронів ℏωp.
КЛЮЧОВІ СЛОВА: ґалат цинку, тонкі плівки, високочастотне напорошення, морфологія поверхні, дисперсія показника заломлення
DOI: https://doi.org/10.15407/nnn.23.01.0101
REFERENCES
- Mu-I Chen, Anoop Kumar Singh, Jung-Lung Chiang, Ray-Hua Horng, and Dong-Sing Wu, Nanomaterials, 10, Iss. 11: 2208 (2020); https://doi.org/10.3390/nano10112208
- G. Anoop, K. Mini Krishna, and M. K Jayaraj, J. Electrochem. Soc., 158, No. 8: J269 (2011); https://doi.org/10.1149/1.3604755
- Chengling Lu, Qingyi Zhang, Shan Li, Zuyong Yan, Zeng Liu, Peigang Li, and Weihua Tang, J. Phys. D: Appl. Phys., 54, No. 40: 405107 (2021); https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac1465
- Chia-Hsun Chen, Shu-Bai Liu, and Sheng-Po Changu, ACS Omega, 9, Iss. 13: 15304 (2024); https://doi.org/10.1021/acsomega.3c09965
- Yong Eui Lee, David P. Norton, John D. Budai, Philip D. Rack, Jeff Peterson, and Michael D. Potter, J. Appl. Phys., 91, No. 5: 2974 (2002); https://doi.org/10.1063/1.1448863
- O. M. Bordun, V. G. Bihday, and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc., 80, No. 5: 721 (2013); https://doi.org/10.1007/s10812-013-9832-2
- Ray-Hua Horng, Shu-Hsien Lin, Yi-Che Chen, Dun-Ru Hung, Po-Hsiang Chao, Pin-Kuei Fu, Cheng-Hsu Chen, Yi-Che Chen, Jhih-Hong Shao, Chiung-Yi Huang, Fu-Gow Tarntair, Po-Liang Liu, and Ching-Lien Hsiao, Nanomaterials, 12, Iss 21: 3759 (2022); https://doi.org/10.3390/nano12213759
- O. M. Bordun, V. G. Bihday, and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc., 81, No. 1: 43 (2014); https://doi.org/10.1007/s10812-014-9884-y
- V. Castaing, M. Romero, D. Rytz, G. Lozano, and H. Míguez, Adv. Optical Mater., 12, No. 36: 2401638 (2024); https://doi.org/10.1002/adom.202401638
- W.-L. Huang, C.-H. Li, S.-P. Chang, and S.-J. Chang, ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, No. 7: Q3213 (2019); https://doi.org/10.1149/2.0371907jss
- Kiyotaka Wasa, Makoto Kitabatake, and Hideaki Adachi, Thin Film Materials Technology: Sputtering of Compound Materials (New York: Springer–William Andrew Inc. Publishing: 2004).
- O. M. Bordun, I. O. Bordun and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc., 78, No. 6: 922 (2012); https://doi.org/10.1007/s10812-012-9555-9
- R. Swanepoel, J. Phys. E: Sci. Instrum., 16, No. 12: 1214 (1983); https://doi.org/10.1088/0022-3735/16/12/023
- M. Abdel-Baki, F. A. Abdel Wahab, and F. El-Diasty, Mater. Chem. Phys., 96, Nos. 2–3: 201 (2006); https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2005.07.022
- S. H. Wemple and M. Di Domenico, Phys. Rev. B, 3: 1338 (1971); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.3.1338
- O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, and V. B. Lushchanets, J. Appl. Spectrosc., 81, No. 5: 771 (2014); https://doi.org/10.1007/s10812-014-0004-9
- O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc., 83, No. 1: 141 (2016); https://doi.org/10.1007/s10812-016-0257-6
- M. Nonaka, T. Tanizaki, S. Matsushima, M. Mizuno, and C.-N. Xu, Chem. Lett., 30, No. 6: 664 (2001); https://doi.org/10.1246/cl.2001.664
- S. K. Sampath and J. F. Cordaro, J. Am. Ceram. Soc., 81, No. 3: 649 (1998); https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1998.tb02385.x
- K. Ikarashi, J. Sato, H. Kobayashi, N. Saito, H. Nishiyama, and Y. Inoue, J. Phys. Chem. B, 106, No. 35: 9048 (2002); https://doi.org/10.1021/jp020539e
- Suresh K. Sampath, D. G. Kanhere, and Ravindra Pandey, J. Phys.: Condens. Matter, 11: 3635 (1999); https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/18/301
- David R. Penn, Phys. Rev., 128: 2093 (1962); https://doi.org/10.1103/PhysRev.128.2093
|