Перейти на головну сторінку журналу
Збірник наукових праць Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Рік 2025 Том 23, Випуск 1
English Українська
Отримати статтю →
Випуски PACS Для передплатників Для авторів
Пошук →
Розширений пошук

Випуски

 / 

2025

 / 

т. 23 / 

вип. 1

 


Завантажити повну версію статті (у форматі PDF)

Laith M. AL TAAN and Nawfal Y. JAMIL

Raman Spectroscopy-Based Studying the Physical Differences of Graphene Layers Prepared by Direct Exfoliation

69–78 (2025)

Номери PACS: 61.48.Gh, 63.22.Rc, 68.37.Ps, 68.65.Pq, 78.30.Na, 78.67.Wj, 81.05.ue

Досліджено фізичні характеристики графенових шарів за допомогою спектроскопії Раманового розсіяння й атомно-силової мікроскопії. Графенові зразки було ретельно підготовлено шляхом відлущування природнього графіту на пластини SiO2/Si у 300 нм. Аналізу, проведену у Вольфсоновій лабораторії наноматеріялів і пристроїв Плімутського університету у Великій Британії, було зосереджено на вивченні положення й інтенсивности G- й 2D-смуг у спектроскопії комбінаційного розсіяння, а також на ретельному вивченні зображень атомно-силової мікроскопії. Дослідження мало на меті оцінити різні фізичні параметри, в тому числі кількість шарів, якість, чистоту, розмір домени та повну ширину на половині максимуму (FHWM) кожного графенового зразка, що надає цінну інформацію про їхні структурні властивості. Це дослідження свідчать про те, що графенові шари на підкладинці SiO2/Si, виготовлені прямим відлущуванням, підходять для механічних і електронних застосувань

КЛЮЧОВІ СЛОВА: графен, графіт, Раманова спектроскопія, відшарування

DOI:  https://doi.org/10.15407/nnn.23.01.0069

REFERENCES
  1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science, 306, Iss. 5696: 666 (2004); https://doi.org/10.1126/science.1102896
  2. A. K. Geim, Science, 324, No. 5934: 1530 (2009); https://doi.org/10.1126/science.1158877
  3. Alexander A. Balandin, Suchismita Ghosh, Wenzhong Bao, Irene Calizo, Desalegne Teweldebrhan, Feng Miao, and Chun Ning Lau, Nano Letterers, 8, No. 3: 902 (2008); https://doi.org/10.1021/nl0731872
  4. H. S. Dong and S. J. Qi, Biosurface and Biotribology, 1, Iss. 4: 229 (2015); https://doi.org/10.1016/j.bsbt.2015.10.004
  5. Sungjin Park and Rodney S. Ruoff, Nature Nanotechnology, 4: 217 (2009); https://doi.org/10.1038/nnano.2009.58
  6. C. N. R. Rao, A. K. Sood, K. S. Subrahmanyam, and A. Govindaraj, Angewandte Chemie International Edition, 48: 7752 (2009); https://doi.org/10.1002/anie.200901678
  7. Changgu Lee, Xiaoding Wei, Jeffrey W. Kysar, and James Hone, Science, 321, Iss. 5887: 385 (2008); https://doi.org/10.1126/science.1157996
  8. R. Nair, P. Blake, A. Grigorenko, K. Novoselov, and T. Booth, Science, 320: Iss. 5881: 1308 (2008); https://doi.org/10.1126/science.1156965
  9. Matthew J. Allen, Vincent C. Tung, and Richard B. Kaner, Chem. Rev., 110: 132 (2010); https://doi.org/10.1021/cr900070d
  10. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science, 306: 666 (2004); https://doi.org/10.1126/science.1102896
  11. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, and A. K. Geim, Proc. Nat'l Acad. Sci. USA, 102, No. 30: 10451 (2005); https://doi.org/10.1073/pnas.0502848102
  12. Mehwish Abro, Modelling the Exfoliation of Graphite for Production of Graphene: MSc. Thesis (Sweden: Uppsala University, Institutionen för teknikvetenskaper, Department of Engineering Sciences: 2015); https://uu.diva-portal.org/smash/get/diva2:893757/FULLTEXT02.pdf
  13. Genhua Pan, Bing Li, Mark Heath, David Horsell, M. Lesley Wears, Laith Al Taan, and Shakil Awan, Carbon, 65: 349 (2013); https://doi.org/10.1016/j.carbon.2013.08.036
  14. A. C. Ferrari and J. Robertson, Phys. Rev. B, 61: 14095 (2000); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.14095
  15. Joe Hodkiewicz, Thermo Fisher Scientific (Madison, Wisconsin, USA: 2022).
  16. Teng Cui, Sankha Mukherjee, Changhong Cao, Parambath M. Sudeep, Jason Tam, Pulickel M. Ajayan, Chandra Veer Singh, Yu Sun, and Tobin Filleter, Carbon, 136: 168 (2018); https://doi.org/10.1016/j.carbon.2018.04.074
  17. Duhee Yoon and Hyeonsik Cheong, Raman Spectroscopy for Characterization of Graphene. in Raman Spectroscopy for Nanomaterials Characterization (Ed. Challa S. S. R. Kumar) (Berlin–Heidelberg: Springer: 2012), p. 191–214; https://doi.org/10.1007/978-3-642-20620-7
  18. A. Casiraghi, E. Hartchuh, H. Lidorikis, H. Qian, T. Harutyunyan, K. Gokus, K. S. Novoselov, and A. C. Ferrari, Nano Lett., 7, No. 9: 2711 (2007); https://doi.org/10.1021/nl071168m
  19. F. Tuinstra and L. Koenig, Chem. Phys., 53: 1126 (1970); https://doi.org/10.1063/1.1674108
  20. Rohit Narula and Stephanie Reich, Phys. Rev. B, 78: 165422 (2008); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.78.165422
  21. Pedro Venezuela, Michele Lazzeri, and Francesco Mauri, Phys. Rev. B, 84: 035433 (2011); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.035433
  22. Z. H. Ni, H. M. Wang, J. Kasim, H. M. Fan, T. Yu, Y. H. Wu, Y. P. Feng, and Z. X. Shen, Nano Lett., 7, No. 9: 2758 (2007); https://doi.org/10.1021/nl071254m
  23. Nicola Ferralis, Roya Maboudian, and Carlo Carraro, Phys. Rev. Lett., 101: 156801 (2008); https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.101.156801
  24. Zhongwu Wang, V. Pischedda, S. K. Saxena, and Peter Lazor, Solid State Comm., 121, Iss. 5: 275 (2002); https://doi.org/10.1016/S0038-1098(01)00509-9
  25. Yenny Hernandez, Valeria Nicolosi, Mustafa Lotya, Fiona M. Blighe, Zhenyu Sun, Sukanta De, Ignatius T. McGovern, Brendan Holland, Michele Byrne, Yurii K. Gun'Ko, John J. Boland, Peter Niraj, Georg Duesberg, Satheesh Krishnamurthy, Robbie Goodhue, John Hutchison, Vittorio Scardaci, Andrea C. Ferrari, and Jonathan N. Coleman, Nature Nanotechnology, 3, No. 9: 563 (2008); https://doi.org/10.1038/nnano.2008.215
Creative Commons License
Ця стаття ліцензована під Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License
©2003 НАНОСИСТЕМИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України.
E-mail: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача