Випуски

 / 

2023

 / 

том 21 / 

випуск 1

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

M. A. Zabolotnyy, M. Yu. Barabash, Ye. M. Boboshko, D. O. Grynko, A. A. Kolesnichenko, R. V. Lytvyn, A. Yu. Sezonenko, T. V. Loskutova, L. І. Аslamova, and N. V. Minitska
Photoconductive Materials for Ordered Nanoobjects Based on Templates
0057–0071 (2023)

PACS numbers: 42.70.Ln, 68.35.bm, 72.40.+w, 73.50.Pz, 78.20.Nv, 82.35.Cd

Метою даної роботи є дослідження властивостей аморфних молекулярних напівпровідників (АМН), яких використовують у якості темплатів для створення упорядкованих нанооб’єктів. Світлочутливі АМН є карбазолвмісними середовищами для реєстрації оптичної інформації у реальному часі. Вони мають високу чутливість, просторову роздільчу здатність, можуть працювати в автоматичному режимі без оператора. Актуальним є поліпшення характеристик АМН і режимів використання їх. Для оптимізації складу АМН найважливішим є з’ясування механізмів термалізації носіїв, квантового виходу під час фотозбудження АМН і перебігу електрофізичних явищ. Для аналізу цих процесів був використаний метод термостимульованої деполяризації. Він уможливлює вивчити кінетику електричного заряду, створеного під час орієнтації постійних диполів, або заряду, який захоплюється глибокими пастками у вигляді структурних дефектів, домішкових центрів, зарядів, накопичених на межі різних фаз плівки. В роботі проведено вимірювання спектральної чутливости зразків із тонких шарів карбазолвмісних матеріялів, одержаних за допомогою поливу толуольних розчинів. Встановлено, що зі збільшенням довжини світлової хвилі відбувається зменшення величини квантового виходу фотоґенерації. Модель засновано на припущенні ньютонівського характеру залежности швидкости енергетичних втрат нерівноважним електроном. В рамках цього моделю одержано залежності довжини та часу термалізації від частоти збуджувального світла, температури АМН і параметра, що визначає швидкість втрати надлишкової енергії нерівноважним носієм електричного заряду. Отже, запропоновано феноменологічний модель електрофотографічного процесу й оптимізовано склад АМН, одержано темплат площею у ≅ 4 см2 з просторовим періодом у ≅ 3–1 мкм.

Keywords: аморфні молекулярні напівпровідники, фоточутливість, електрофізичні властивості, електричний заряд.


References
  1. E. L. Aleksandrova, Physica i Tekhnika Poluprovodnikov, 38, No. 10: 1153 (2004) (in Russian).
  2. M. V. Kuryk, E. A. Silinsh, and V. Chapek, Ehlektronnyye Sostoyaniya Organicheskih Molekulyarnykh Kristallov (Riga: Zinatne: 1988) (in Russian).
  3. Yu. Barabash, V. Kharkyanen, M. Kulish, O. Dmitrenko, M. Zabolotny, and E. Kobus, and N. Sokolov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 5, Iss. 2: 651 (2007).
  4. М. А. Zabolotnyy, А. G. Zagorodniy, and N. P. Borolina, Fisika Tverdogo Tela, 33, No. 8: 2345 (1991) (in Russian).
  5. E. A. Silinsh, V. А. Kolesnikov, I. Ya. Muzikante, D. R. Balode, and А. K. Gailis, Izvestiya Akademii Nauk Latviyskoy SSR. Seriya Fizicheskikh i Tekhnicheskikh Nauk, 5: 14 (1981) (in Russian).
  6. E. L. Alexandrova, Proc. Conf. ‘Silverlos and Unusual Photographic Processes’, 1, No. 1: 95 (1984).
  7. N. A. Dividenko, M. A. Zabolotnyy, and A. A. Ishchenko, Khimiya Vysokikh Energiy, 38, No. 1: 23 (2004) (in Russian).
  8. G. G. Vlaykov, М. А. Zabolotnyy, D. О. Gryn’ko, М. Yu. Barabash, and L. Yu. Kunyts’ka, Template Guided Nanostructure Synthesis (Kyiv.: G. V. Kurdyumov Institute for Metal Physics of the N.A.S. of Ukraine: 2010).
  9. М. Yu. Barabash, D. O. Grynko, S. O. Sperkach, O. I. Khovavko, А. V. Minitskyi, I. Yu. Trosnikova, and Е. V. Strativnov, and D. S. Filonenko, Directed Self-Organization of Nanostructures (Vinnytsia: ‘Tvory’ Publishing House: 2021).
  10. А. I. Nazarov and V. V. Sergeev, Zhurnal Tekhicheskoy Fiziski, 67, No. 6: 127 (1997) (in Russian).
  11. H. Sano and A. Mozumder, J. Chem. Phys., 66, No. 2: 689 (1977); https://doi.org/10.1063/1.433943
  12. M. Poup and Ch. E. Swenberg, Ehlektronnyye Protsessy v Organicheskikh Kristallakh [Electron Processes in Organic Crystals]. Vol. 2 (Мoskva: Мir: 1985) (Russian translation).
  13. Yu. M. Barabash, M. A. Zabolotny, and N. I. Sokolov, Semiconductors: Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2, No. 4: 51 (1999).


Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2023 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача