Выпуски

 / 

2021

 / 

том 19 / 

выпуск 1

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

Said Benramache, Yacine Aoun, Rime Gacema, Houda Mourghadea
«Synthesis and Annealing Temperature Effect on Structural, Optical and Electrical Properties of NiO Thin Films Deposited by Sol–Gel Technique»
0147–0158 (2021)

PACS numbers: 73.61.Ga, 78.20.Ci, 78.66.Hf, 78.67.Bf, 81.05.Dz, 81.07.Bc, 81.20.Fw

У даній статті тонкі плівки NiO готували на скляних підкладинках методою центрифугування золь–ґель-розчину із концентрацією у 0,7 M. Тут плівки NiO було відпалено за різних температур у 25, 450, 500, 550 і 600\(^{\circ}\)C протягом 2 годин. Спектри XRD вказують на те, що плівки демонструють полікристалічну структуру, що належить до кубічного типу NiO. Розміри кристалітів є збільшеними до максимального значення у 50,32 нм вздовж площини (200) і одержані за температури у 600\(^{\circ}\)C. Кристалічність тонких плівок поліпшувалася за високої температури, за якої присутні занадто мало дефектів. Спектрофотометрична аналіза у видимому й ультрафіолетовому діяпазонах плівок NiO демонструє середній коефіцієнт пропускання близько 85%. Ширина забороненої (енергетичної) зони зросла після відпалу від 3,101 до 3,855 еВ для невідпалених і відпалених плівок при 500\(^{\circ}\)C відповідно. За високої температури відпалу тонкі плівки NiO стають менш розупорядкованими із меншою кількістю дефектів, пов’язаних з енергією Урбаха, яку можна одержати за порядком величини як 180 меВ при 600?С. Прозорі тонкі плівки NiO стають провідними, і мінімальне значення опору листа було виявлено при більш низькій температурі. Найліпші розрахункова структура й оптична характеризація досягаються для відпаленої плівки NiO при 500\(^{\circ}\)C.

Keywords: NiO, thin films, transparent conducting films, annealing temperature, spin-coating method


References
1. N. Beji, M. Reghima, M. Souli, and N. K. Turki, J. Alloys Compd., 675: 231(2016).
2. Y. Aoun, B. Benhaoua, B. Gasmi, and S. Benramache, Main Group Chem.,14: 27 (2015).
3. F. Cinquini, L. Giordano, and G. Pacchioni, Theor. Chem. Account., 120: 575(2008).
4. H. S. Gavale, M. S. Wagh, R. B. Ahirrao, and S. R. Gosavi, Journal of Na-noscience and Technology, 5: 610 (2019).
5. X. Chen, L. Zhao and Q. Niu, J. Elect. Mater., 41: 3382 (2012).
6. Y. Shin, Y. Hwang, Y. Um, D. A. Tuan, S. Cho, and H. Park, J. KoreanPhys. Soc., 63: 1199 (2013).
7. D. S. Dalavi, M. J. Suryavanshi, S. S. Mali, D. S. Patil, and P. S. Patil,J. Solid State Electrochemistry, 16, No. 1: 253 (2012).158Said BENRAMACHE, Yacine AOUN, Rime GACEMA et al.
8. K. O. Ukoba, A. C. Eloka-Eboka, and F. L. Inambao, Renewable and Sus-tainable Energy Reviews, 82: 2900 (2018).
9. T. Miyata, H. Tanaka, H. Sato, and T. Minami, J. Mater. Sci., 41: 5531(2006).
10. Y. S. Lin, D. J. Lin, L. Y. Chiu, and S. W. Lin, J. Solid State Electrochem-istry, 16: 2581 (2012).
11. X. C. Lou, X. J. Zhao, Y. L. Xiong, and X. T. Sui, J. Sol–Gel Sci. Technol.,54: 43 (2010).
12. C. Chen, P. J. Perdomo, M. Fernandez, and A. Barbeito, Journal of EnergyStorage, 8: 198 (2016).
13. Y. A. Kumar Reddy, B. Ajitha, P. S. Reddy, M. S. Pratap Reddy, andJ. H. Lee, Electron. Mater. Lett., 10: 907 (2014).
14. A. Diha, S. Benramache, and B. Benhaoua, Optik, 172: 832 (2018).
15. S. Benramache, Y. Aoun, S. Lakel, H. Mourghade, R. Gacem, andB. Benhaoua, Journal of Nano- and Electronic Physics, 10: 06032 (2018).
16. S. Benramache and B. Benhaoua, Superlattices Microstruct., 52: 1062(2012).
17. H. L. Chen, Y. M. Lu, and W. S. Hwang, Mater. Transact., 46: 872 (2005).
18. S. Benramache, B. Benhaoua, and O. Belahssen, Optik, 125: 5864 (2014).
19. Y. Aoun, B. Benhaoua, S. Benramache, and B. Gasmi, Optik, 126: 5407(2015).
20. B. Benhaoua, S. Abbas, A. Rahal, A. Benhaoua, and M. S. Aida, Superlat-tices Microstruct., 83: 78 (2016).
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача