Выпуски

 / 

2021

 / 

том 19 / 

выпуск 1

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

A. S. Alekperov, A. E. Nabiyev, T. M. Aydinova
«Obtaining Ge–GeS:Nd Heterojunction and Research of Current–Voltage Curve»
0045–0051 (2021)

PACS numbers: 72.20.Jv, 72.40.+w, 73.30.+y, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 79.60.Jv, 85.30.Mn

Вперше ми виростили гетероперехід n-Ge–p-GeS:Nd методою термовакуумного випаровування та вивчили можливість випрямлення струму цим гетеропереходом відповідно до його кривої струм–напруга. З метою вивчення впливу випромінення на криву струм–напруга гетеропереходу було досліджено зразки, що зазнавали різних доз гамма-опромінення (у 50 і 150 крад). Більше того, одержані дані було порівняно й проаналізовано.

Keywords: heterojunction, vacuum thermal evaporation, current–voltage curve, dark current, gamma irradiation, generation and recombination processes


References
1. K. U. Rajesh, L. Yi-Ying, K. Chia-Yung, R. T. Srinivasa, R. S. Raman,M. B. Karunakara, and A. Ankur, Nanoscale, 8, No. 4: 2284 (2016);doi:10.1039/C5NR05988G
2. A. S. Alekperov, Journal of Advances in Physics, 10, No. 3: 2798 (2015).
3. A. Z. Abasova, R. S. Madatov, and V. I. Stafeev, Radiasionno-Stimulirovannyye Protsessy v Khalkogenidnykh Strukturakh [Radiation-Stimulated Processes in Chalcogenide Structures] (Baku: Elm: 2010) (inRussian).
4. A. Milnes and D. L. Feucht, Geteroperekhody i Perekhody Metall–Poluprovodnik [Heterojunctions and Metal–Semiconductor Junctions Moscow:Mir: 1976) (Russian translation).
5. V. M. Andreev, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 33, No. 9: 1035 (1999)(in Russian).
6. R. S. Madatov, A. S. Alekperov, and Dzh. A. Maqerramova, CrystallographyReports, 60, No. 6: 921 (2015); doi:10.1134/S1063774515060188
7. L. P. Kosyachenko, X. Mathew, V. V. Motushchuk, and V. M. Sklyarchuk,Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 39, No. 5: 569 (2005) (in Russian).
8. I. P. Chernov and A. P. Mamontov, Izvestiya Tomskogo PolitekhnicheskoqoUniversiteta, 1, No. 1: 74 (1994) (in Russian).
9. I. Chen, and J. X. Zhao, Sensor, 12, No. 3: 2414 (2012).
10. R. Parthiban, K. Dohyun, L. Da-Hye, R. Hyun-Soo, and L. Jong-Soo, Jour-nals of Materials Chemistry, 4, No. 3: 479 (2016);DOI:10.1039/C5TC03667D
Creative Commons License
Усі статті ліцензовано на умовах Ліцензії Creative Commons із зазначенням авторства — без похідних 4.0 Міжнародна
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача