Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. J. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, D. S. Leonov
«Structure and Electrical Conductivity of the Thin b-Ga2O3 Films»
0299–0308 (2017)

PACS numbers: 61.05.cp, 61.72.J-, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55.J-, 72.20.-i, 81.15.Cd

Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga\(_2\)O\(_3\), одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню приводить до зростання середнього діяметра кристалітів до 47, 42 та 35 нм відповідно. Досліджено провідність одержаних плівок, залежно від атмосфери термооброблення. Показано, що після відпалу у відновній атмосфері водню відбувається значне зменшення питомого опору плівок від 1011 Ом?см для свіжонанесених плівок до 106 Ом?см.