Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

L. P. Steblenko, V. V. Trachevsky, A. K. Melnyk, A. M. Kuryliuk, O. M. Krit, S. M. Naumenko, Yu. L. Kobzar, І. V. Yurgelevych, S. G. Rozuvan, P. A. Teselko
«The Change of Nanostructure and Microplastic Characteristics of the Silicon Crystals Under the Impact of Strong Magnetic Fields»
0221–0233 (2017)

PACS numbers: 61.72.Ff, 61.72.Hh, 61.72.Lk, 66.30.Lw, 78.67.Bf, 81.40.Lm, 83.60.Np

В роботі вивчається вплив сильних магнетних полів (В?=?9,4 Тл) на наноструктуру та мікропластичність кристалів кремнію. Встановлені магнетостимульовані ефекти вказують на наявність залежности між еволюцією наноструктури та типом леґувальних домішок (Фосфор, Бор). При цьому виявлено, що сильні магнетні поля здійснюють діяметрально протилежний вплив на зміну наноструктури в кристалах Si n- та р-типу провідности. Виявлено, що сильні магнетні поля викликають довготривалі процеси структурної релаксації, які позначаються на характері зміни мікропластичних характеристик. Встановлено, що в кристалах Si з різним типом провідности залежність між рухливістю дислокацій і домішкою, яка визначає природу мікропластичности в кремнії (Оксиґен), носить ідентичний характер.