Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Н. В. Вітюк, Н. П. Смірнова, Г. М. Єременко, Т. О. Буско, О. П. Дмитренко, М. П. Куліш
«F. O. Ivashchyshyn, I. I. Grygorchak, and M. I. Klapchuk»
0403–0414 (2015)

PACS numbers: 71.20.Tx, 77.84.-s, 81.07.Pr, 81.16.Fg, 82.75.-z, 84.32.Tt, 84.37.+q

Сформовано інтеркалянтні наноструктури InSe?htd> та GaSe?htd?. Для першої наноструктури візуалізовано ефекти неґативної фотоємности та квантової ємности. Втілення гістидину між шарами селеніду індію приводить до зростання анізотропії електропровідности ?||/?? від 67 до 226. Температурні залежності реальної складової комплексного імпедансу засвідчують напівпровідниковий механізм провідности вздовж шарів із двома енергіями активації — у 1,6 меВ у низькотемпературній та у 0,25 меВ у високотемпературній областях. Для другої наноструктури спостерігаються 20-кратне зростання фоточутливости і поява гігантського високочастотного неґативного магнетоопору. Анізотропія електропровідности ?||/?? наноструктури GaSe?htd? становить 102. Температурна залежність реальної складової комплексного імпедансу уздовж шарів у областях температур ?30?C???t???10?C, 10?C???t???30?C, 30?C???t???50?C демонструє кардинально відмінні механізми електропровідности. Енергії активації становлять 0,35 у низькотемпературному та 0,69 у високотемпературному інтервалах. При температурах 10?C???t???30?C спостерігається неактиваційний механізм електропровідности. Для двох наноструктур наведено значення параметрів зонного спектру до і після втілення гістидину, обчислені за теорією Джебола–Поллака, які добре корелюють з одержаними експериментальними даними.