Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

В. В. Лизунов, Е. В. Кочелаб, Е. С. Скакунова, Е. Г. Лень, В. Б. Молодкин, С. И. Олиховский, Н. Г. Толмачёв, Б. В. Шелудченко, С. В. Лизунова, Л. Н. Скапа
«Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. II. Численный эксперимент »
0349–0370 (2015)

PACS numbers: 07.85.Jy, 61.05.cc, 61.05.cf, 61.05.cp, 61.46.Hk, 61.72.Dd, 68.55.jd

На основі побудованої у першій частині роботи узагальненої моделі дисперсійночутливої дифрактометрії неідеальних кристалів довільної товщини проведено аналіз диференційних та інтеґральних картин розсіяння для широкого інтервалу ефективних товщин кристалу. Встановлено дисперсійну природу та кількісні особливості керованої умовами дифракції зміни відносного внеску дифузного розсіяння, зокрема, залежно від ефективної товщини неідеального монокристалу, який динамічно розсіює, а також продемонстровано можливості істотного підвищення за рахунок збільшення цього внеску інформативности та чутливости динамічної дифрактометрії дефектів. Показано, що максимальні інформативність і чутливість до дефектів за рахунок росту цього внеску спостерігаються в області проміжних значень ефективної товщини кристалу. Надано практичні рекомендації з вибору оптимальних комбінацій умов динамічної дифракції та різних методик (інтеґральних і диференційних), які забезпечують розв’язання оберненої багатопараметричної задачі відновлення параметрів складних дефектних структур у монокристалічних виробах сучасних нанотехнологій.