Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

В. В. Лизунов, Е. В. Кочелаб, Е. С. Скакунова, Е. Г. Лень,В. Б. Молодкин, С. И. Олиховский, Н. Г. Толмачёв,Б. В. Шелудченко, С. В. Лизунова, Л. Н. Скапа
«Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель»
0099–0115 (2015)

PACS numbers: 07.85.Jy, 61.05.cc, 61.05.cf, 61.05.cp, 61.46.Hk, 61.72.Dd, 81.07.Bc

Побудовано узагальнену модель дисперсійно чутливої дифрактометрії неідеальних кристалів, яка уможливлює проводити аналіз диференціальних і інтеґральних картин розсіяння для довільних ефективних товщин кристалу. Введено параметр, який характеризує ефект аномального росту відносного внеску дифузного розсіяння. Запропонована теоретична модель може забезпечити розв’язання оберненої багатопараметричної задачі відновлення характеристик складних дефектних структур у монокристалах, які застосовуються в сучасних нанотехнологіях.