Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Р. М. Балабай
«Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів»
0847–0857 (2012)

PACS numbers: 71.15.Dx, 71.15.Mb, 71.15.Pd, 71.18.+y, 71.20.Nr, 71.55.Gs, 81.65.Rv

За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1?хTe (х???0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1?хTe (х???0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного заряду в шарах CdTe та ZnS, що покривають плівку CdхHg1?хTe (ізолювальний ефект). Визначено наявність потенціяльних бар’єрів на роздільчій межі шарів CdTe та CdхHg1?хTe (х???0,2), а також ZnS та CdхHg1?хTe (х???0,2).