|
||||||||||||||||||||||||
Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
А. Ю. Ляшенко, А. М. Гусак*, Ю. А. Ляшенко*, Ф. Одаж** Модифіковано модель росту нанодротів кремнію при напорошенні методою VLS (vapour–liquid–solid) з урахуванням затримки на нуклеацію кожного нового атомового шару кремнію під нанокрап-лею золота і збіднення нанокраплі на кремній у результаті кож-ного нового зарощування атомової площини. Для опису східчас-того росту силіциду було розвинуто модифікацію класичної тео-рії гомогенного зародкування на випадок нестаціонарних умов. Модифікована теорія дозволяє передбачувати частоту та встано-вити статистичні особливості повторюваних актів нуклеації. |
||||||||||||||||||||||||
|